基于CdSe/ZnS量子点光转化层的高稳定性白光LED器件

采用一步法合成了510,550和630nm三种峰值的高稳定性、高量子效率核壳结构CdSe/ZnS量子点材料,其量子产率分别达到82%,98%,97%。将该量子点材料取代传统的荧光粉材料,与硅胶均匀混合后作为光转换层涂覆到蓝色InGaN LED芯片上,制备了白光LED器件。通过依次添加不同颜色量子点制备的量子点光转换层,考察了510,550和630nm三色CdSe/ZnS量子点在硅胶中的不同配比对白光LED器件性能的影响,研究了不同颜色量子点之间的能量转换机制,利用量子点对白光光谱及其色坐标的影响机制,得到优化的白光器件结果及其三色量子点的配比,结果表明,当绿色、黄绿色、红色三种量子点之间的配比为24∶7∶10时,得到高稳定性、高效率的正白光器件特性,在电流20~200mA范围内,色温变化为4 607~5 920K,色坐标变化为(0.355 1,0.348 3)~(0.323 4,0.336 1),显色指数变化为77.6~84.2,器件最高功率效率达到31.69lm W-1@20mA。另外,为了进一步考察器件性能稳定的原因,研究了时间、温度以及UV处理对CdSe/ZnS QDs/硅胶混合光转换材料稳定性的影响,结果表明,器件的高稳定性可归因于所采用的一步法合成的核壳结构量子点材料本身的稳定性,研究的优化器件结果是一种低能耗的优质白光光源,可使人们真实地感知物体的原貌,在正白光光源领域具有很好的应用前景。     

双核三螺旋铁配合物的合成和结构

本文选择了2-羟基-1-萘醛与水合肼形成的席夫碱,[(HO)(C₁₀H₆)CH=N-N=CH(C₁₀H₆)(OH)],作为配体,设计组装了双核三螺旋的三价铁配合物。配合物中每一个铁离子以准八面体的配位方式分别与三个NO双齿单元配位, 三个配体分别桥联两个金属形成特定的三螺旋构型。分子内和分子间的π-π堆积作用对螺旋体的形成和堆积方式起着十分重要的作用。作为对照,本文还报道了配体的晶体结构。     

Deep level transient spectroscopy investigation of deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact

Deep levels in Cds/CdTe thin film solar cells have a potent influence on the electrical property of these devices. As an essential layer in the solar cell device structure, back contact is believed to induce some deep defects in the CdTe thin film. With the help of deep level transient spectroscopy (DLTS), we study the deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact. One hole trap and one electron trap are observed. The hole trap H1, localized at Ev + 0.128 eV, originates from the vacancy of Cd (VCd). The electron trap E1, found at Ec 0.178 eV, is considered to be correlated with the interstitial Cu+ i in CdTe.     

新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征

锶镉锗硒(SrCdGeSe4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶,尺寸为φ27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,选取一片8×8 ×2 mm3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值.结果 显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8",该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～ 14 μm波长范围内透过率超过68;;另外,晶体在Nd∶ YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm2.     

射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明: 衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300 ℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350 ℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300 ℃退火处理后结晶质量有所提高. 关键词： ZnS薄膜 射频磁控溅射 内应力     

线性纵向数据模型中多个个体的联合影响诊断

本文利用个体删除方法对具有纯序列相关的线性纵向数据模型,给出了多个个体对参数联合影响的分析式,并将其化简成相对容易计算的形式,同时讨论了enhancing、reducing及swamping效应.进一步,分析了个人所得税申报数据,发现了单个个体删除方法无法识别的影响个体,验证了多个个体删除方法在寻找影响个体时的有效性,扩大了删除方法的应用领域.     

Hausdorff Dimension of the Exceptional Set in Engel Continued Fractions北大核心CSCD

For any real number x ∈ (0,1), there exists a unique Engel continued fractions of x. In this paper, we mainly discuss the exceptional set which the logarithms of the partial quotients grow with non-linear rate. We completely characterize the Hausdorff dimension of the relevant exceptional set. © 2022 Chinese Academy of Sciences. All rights reserved.