质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响

文章研究了如何兼顾质子注入型垂直腔面发射激光器的功率和阈值性能.从模拟和实验两方面分析了质子注入能量与器件功率和阈值特性的关系.发现注入能量过高时,损伤有源区,降低了功率性能.而能量过低则会减弱对注入电流的限制,增加阈值.计算和实验结果表明,对于文中的器件结构,315 keV的注入能量是合适的.在10μm的注入孔径下获得器件的阈值为4.3 mA,功率为1.7 mW.     

Au,Au-介质,介质-Au球形纳米结构光散射性质研究

本文基于Mie散射理论,设计了三种(Au,Au-介质,介质-Au)球形纳米结构,并研究结构参数及周围环境对结构的光散射性质的影响。说明结构外半径的增加会使共振位置发生红移,线宽增加,并且偶极近似不再成立。经研究发现,在偶极近似下,Au-介质纳米核壳结构中核半径的增大使得散射峰增强,线宽也比金球颗粒的小。并且介质折射率的增加,会使散射峰进一步增强,并产生一定的红移。对于介质-Au纳米核壳结构,当Au层厚度较小的情况下,球模和腔模之间的强耦合作用使得共振峰位置发生较大的红移,散射峰也显著增强。并且随着介质核的折射率增加,会进一步使得模式发生红移。考虑到实际应用,最后通过在Au-介质纳米核壳结构的介质层引入增益,或者减小介质-Au纳米核壳结构半径,发现其均能在石英环境中实现可见光波段的窄带强散射。这些研究结果将对高性能透明显示屏的制备提供重要的理论依据。     

泡沫铝填充薄壁方形铝管的静态弯曲崩毁行为

研究了泡沫铝填充的方形铝管的准静态三点弯曲行为，实验表明：泡沫铝填充有效地改变了铝管的局部崩毁变形模式；界面粘接提高了填充结构的抗弯刚度，但使结构易在较小转角下发生破坏，最后，基于实验提出了一个分析填充结构弯曲崩塌行为的理论方法，在小转角下给出了与实验相当吻合的结果。     

基于石墨烯-ZnO纳米线的复合电极在GaN LED中的应用

使用一维ZnO纳米线和二维石墨烯复合结构集成到p-GaN表面来同时实现电流扩展和提高LED光提取效率。通过两组有无ZnO纳米线器件的对比,发现ZnO纳米线使器件的光提取效率提高了30%.通过分析两组器件的开启电压、工作电压和反向漏电流等关键参数,验证了本结构应用于GaN LED不会恶化其电性能。本文所采用的复合结构用于GaN LED,同时达到了良好欧姆接触、避免使用ITO和增强出光的效果。     

The entanglement properties of holographic QCD model with a critical end point

We investigated different entanglement properties of a holographic QCD(hQCD)model with a critical end point at the finite baryon density.Firstly,we considered the holographic entanglement entropy(HEE)of this hQCD model in a spherical shaped region and a strip shaped region.It was determined that the HEE of this hQCD model in both regions can reflect QCD phase transition.Moreover,although the area formulas and minimal area equations of the two regions were quite different,the HEE exhibited a similar behavior on the QCD phase diagram.Therefore,we assert that the behavior of the HEE on the QCD phase diagram is independent of the shape of the subregions.However,the HEE is not an ideal parameter for the characterization of the entanglement between different subregions of a thermal system.As such,we investigated the mutual information(MI),conditional mutual information(CMI),and the entanglement of purification(Ep)in different strip shaped regions.We determined that the three entanglement quantities exhibited some universal behavior;their values did not change significantly in the hadronic matter phase but increased rapidly with the increase in T andμin the QGP phase.Near the phase boundary,these three entanglement quantities changed smoothly in the crossover region and continuously but not smoothly at CEP;they exhibited discontinuous behavior in the first phase transition region.These properties can be used to distinguish between the different phases of strongly coupled matter.     

基于维格纳方程的电子的古斯-汉欣位移

通过求解电子的维格纳方程研究二维电子气中电子的输运性质。我们发现电子在倾斜入射到势垒界面并反射时, 出现与光波类似的古斯-汉欣位移。通过维格纳方程可以得到电子的瞬态演化, 不仅可以计算古斯-汉欣位移还能研究电子在势垒内部的运动轨迹以及出现稳定古斯-汉欣位移的时间。与稳定相位法得到的古斯-汉欣位移对比发现, 考虑古斯-汉欣位移的界面反射较几何光学反射在时间上有一定迟缓, 这种迟缓与入射角无关, 但会随着势垒宽度的增加而增加; 电子的古斯-汉欣位移与势垒厚度无关, 随着入射角或入射能量的增大而增大。基于此, 我们提出一种电子分束器模型, 向输入端注入初始动能不同的高斯波包, 当电子能量低于0.01 eV时, 约85%的电子运动至第二输出端; 而当电子能量高于0.07 eV时, 约85%的电子运动至第一输出端。     

垂直腔面发射激光器相干耦合阵列二维光束偏转

通过建立数值模型,分析了垂直腔面发射激光器相干耦合阵列单元数量、单元间距、单元间相位差对光束质量及偏转角度的影响.仿真结果表明,单元数量越多,发散角越小;单元间距越小,旁瓣强度越小;单元间相位差越大,偏转角度越大.因此,设计相干阵列时,需要尽量减小单元间距,增大阵列规模,实现单元间大相位差的控制.实验制备了3单元相干耦合阵列,通过分离电极实现了单元注入电流的独立控制以及单元间相位差的控制,最终实现二维方向上的光束操控.     

Single fundamental mode photonic crystal VCSEL with high power and low threshold current optimized by modal loss analysis

The characteristics of the photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers(PhC-VCSELs) were investigated by using the full vector finite-difference time-domain(FDTD) method through the transverse mode loss analysis. PhC-VCSELs with different photonic crystal structures were analyzed theoretically and experimentally. Through combining the dual mode confinement of oxide aperture and seven-point-defect photonic crystal structure, the PhC-VCSELs with low threshold current of 0.9 mA and maximum output power of 3.1 mW operating in single fundamental mode were demonstrated. Mode loss analysis method was proven as a reliable and useful way to analyze and optimize the PhC-VCSELs.     

高光束质量垂直腔面发射激光器同相耦合阵列

质子注入型面发射激光器相干耦合阵列能够实现同相模式的激射,但是由于制作过程中的工艺不均匀性引起单元间存在相位差,影响光束的质量。本文通过设计分离电极结构,使每个单元注入的电流得到分别的控制,实现了3单元三角排列阵列高光束质量同相耦合模式的激射。阵列远场发散角仅为3.4°,大约有25.6%的全部能量聚集在中心光斑。激射光谱的线宽为0.24 nm,边模抑制比为27 dB。该方法能够有效提高相干耦合阵列的光束质量,弥补制作工艺中引入的单元不均匀性,提高器件的可靠性和实用性。质子注入方法简单、成本低,能够成为制作高光束质量相干耦合阵列的一个重要方法。