超导共面波导带通滤波器的设计

本介绍了采用共面波导间隙作为阻抗变换器而设计的Chebyshev型带通滤波器。通过电磁模拟计算分析了共面波导间隙的归一化阻抗转换参量，在此基础上设计了高温超导薄膜共面波导带通滤波器，并对设计的滤波器原型进行了模拟和优化。     

MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备

本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.     

MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究

在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.     

可控数目本征结的制备

基于传统的mesa结构制备工艺 ,我们通过精确控制实验参数的手段 ,在Bi2 Sr2 CaCu2 O8+x单晶上实现了仅含有少数几个结的本征结的制备工艺 ,结的临界电流具有很好的一致性 .结的数目最少达到 2个 (包括表面结) ;结数目控制误差为±1个 .     

Rs标准测量系统的研究及其误差讨论

本文主要介绍了按照目前国际上制定的超导薄膜表面阻抗Rs标准测量方案（IEC／TC90）设计并制造的Rs标准测量系统，对实验过程中系统的细节作了改进，测试精度及可靠性作了分析，实验及结果证明该标准的可行性，同时说明了我们的测试系统符合国际超导薄膜表面阻抗Rs标准 测量的要求。