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1.
 通过在校准头的耦合波导中填充介电常数为10,损耗角正切为0.6的损耗电介质材料,利用该介质对电磁波的损耗来近似测试头中的输入输出耦合环对电磁场能量的影响,以满足镜像法中测试头和校准头中电磁场分布一致这一要求。这一损耗介质材料的引入,改进了测试头和校准头的设计,使得测试头在取得较大耦合量的同时能保持与校准头的对称性,减小了以往测试装置低耦合量所引起的测试误差。  相似文献   
2.
提出了一种用于高温超导滤波器制作的新结构窄带广义切比雪夫函数高、低通滤波器级联方式.该方式利用高温超导低插损特性,可以有效地降低极陡峭广义切比雪夫函数低通、高通滤波器的带边频滚降.依靠高、低通滤波器级联方式构建新形式的窄带极陡峭低插损高温超导滤波器,并与已有高温超导滤波器进行了比较分析.  相似文献   
3.
利用红外热像实时监测系统,获取钇钡铜氧激光辅助化学刻蚀中H3PO4液层的侧面红外热像,研究了其溶液温度分布与热对流特性,并对红外监测数据与钇钡铜氧薄膜激光化学刻蚀特性的关系进行了分析.主要实验结论包括:红外灰度图可真实反映溶液的温度分布和热对流情况,为激光化学刻蚀的热环境分析提供有价值的红外监测数据;通过任意时刻钇钡铜氧表面生成热流所到达高度的分布情况和该时刻的红外灰度图,分析出钇钡铜氧薄膜表面各区域的腐蚀启动先后和刻蚀程度差异等重要信息,为钇钡铜氧及其它材料的激光化学刻蚀特性的实时监测提供了一种新的技术手段.  相似文献   
4.
轴对称收敛型电子枪设计方法再讨论   总被引:4,自引:4,他引:4       下载免费PDF全文
 对轴对称收敛型电子枪设计方法进行了整理分析,就阴极半锥角的初始值对迭代综合法的收敛性能所产生的影响进行了讨论,针对低压缩比条件下原来的Vaughan公式失效的问题进行了分析,给出了更为合理的初始值计算公式。采用修正后的公式和迭代综合法对电子枪进行设计,在高压缩比情况下的设计结果与采用原来Vaughan方法的结果完全一致;而对于低压缩比的情况,也得到了合理的设计,从而解决了原来的Vaughan方法在低压缩比情况下失效的问题,扩大了迭代综合法的应用范围。  相似文献   
5.
高温超导薄膜微波非线性器件设计初探   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文讨论高温超导薄膜微波非线性器件的若干问题,包括材料建模,元件建模,器件参数建模,最后通过这些参数完成高温超导薄膜微波非线性器件综合等.试图通过非线性测试提取高温超导薄膜微波材料非线性模型,根据材料非线性模型建立非线性传输线模型,由非线性传输线模型建立各种微波无源元件模型,最后实现非线微波器件综合设计.  相似文献   
6.
本文采用全波电磁仿真方法设计、制作并测试了一种工作于C波段的星载高温超导微波双工器,采用的材料是在厚度为0.5mm介电常数为23.5的LaAlO3衬底上用磁控溅射法制备而成的双面氧化物高温超导薄膜YBCO.利用在微波范围内,高温超导薄膜的Q值比常规导体高1~3个数量级的特点,实现了器件的小型化和低插损.  相似文献   
7.
两种测试高温超导薄膜微波表面电阻方法的讨论   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍两种工作在12GHz附近的高温超导薄膜微波表面电阻Rs测试系统,并分析各自的特点.同时简介电子科技大学在提高Rs测试精度上所作的一些改进.  相似文献   
8.
高温超导微波延迟线研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾成  罗正祥  羊恺 《低温与超导》2006,34(1):56-58,62
介绍了高温超导微波延迟线的优点及其发展现状,并对直径为2英寸,介电常数为10.2的带状线结构常规金属延迟线进行仿真,并制作出实际电路,并对厚度为1mm MgO基片的高温超导带状线进行了场仿真。  相似文献   
9.
介绍一种工作在12GHz附近的高温超导薄膜微波表面电阻Rs测试方法,该系统采用低损耗高介电常数的蓝宝石构成工作在TE011+δ谐振模式的介质谐振器,在77K时,利用它可成功地用于单片50.8mm较大超导薄膜的微波表面电阻Rs无损伤测试.并与工作在17GHz附近的用于测试10mm高温超导薄膜微波表面电阻测试方法进行了比较. 这种测试方法提高了整个测试系统的品质因素,体积小,操作方便,且所需实验条件简单,测试灵敏度高,具有简便、快捷、适合于工业化生产检测的特点.  相似文献   
10.
与常规材料相比,高温超导薄膜(即HTSC)的表面电阻极低,在微波频段下,其微波表面电阻要比常规材料小两个数量级以上,并能实现高达106~107A/cm2的电流密度.本项目选用10×15×0.44mm3双抛LaAlO3衬底上外延生长的钇系高温超导薄膜的YBa2Cu3O7(YBCO),利用临界电流密度的特性,设计并制作了高温超导微波限幅器,其工作温度在90K以下,77K时设计指标为:f:9.4~9.6GHz,插入损耗L≤0.4dB,门槛电平:10dBm,驻波比≤1.5.  相似文献   
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