Hg的Zeeman效应相对强度实验观察与朗德g因子测量

利用气压扫描式Fabry-Perot标准具测量置于磁场中Hg原子激发态的塞曼光谱,观察谱线404.66 nm,435.83 nm,546.07 nm,579.07 nm的Zeeman分裂,定量测定了各谱线的相对强度,并由此得到各能级的朗德g因子.     

一个经济预测模型的初探

一个经济预测模型的初探罗慧（湖南洪江市一中初９６—７班４１８２００）所谓经济预测，就是经济预计和经济推测．它是在经济活动过程中，根据过去和现在预计未来，根据已知推测未知，根据主观的经验和教训，客观的数据资料和条件，演变的逻辑与推断，来寻求经济实体活动...     

上市公司财务危机预警分析——基于数据挖掘的研究

本文以我国上市公司为研究对象,选取了1999-2001年被ST的公司和正常公司各73家作为训练样本,2002年被ST的公司和正常公司各43家作为检验样本,分析了财务危机出现前2年内各年两类公司15个财务指标。在进行数据挖掘中,我们运用了三种独立的方法,分别为判别分析、Logistic回归和神经网络,结果发现神经网络预测的效果要优于其它两种方法。最后,结合了这些方法的优点,建立了一种混合模型,研究表明预测的正确性要高于每种单独方法,从而提高了模型的预警效果。     

连续偏振光谱的稻种发芽率检测方法研究

针对目前传统稻种发芽率检测方法周期长、精度低的问题,提出新颖的基于连续偏振光谱技术实现稻种发芽率快速、无损检测的方法。以不同老化天数稻种为检测目标,10 min为检测时间点,使用起偏器将光纤准直光源调制成线偏振光垂直入射稻种浸出液,而后以5°为间隔旋转检偏器,并通过光纤光谱仪检测透射的光谱,对检测的偏振光谱通过归一化预处理后,根据不同发芽率稻种检测时偏振角及波长的贡献给出特征偏振角和特征波长,特征偏振角为0°,5°和25°,特征波长为576,620和788 nm,将获取的连续偏振光谱以特征偏振角和特征波长处的透射率为输入,构建稻种发芽率检测模型。分别比较运用偏最小二乘法回归(partial least squares regression,PLSR)、BP神经网络(back propagation neural network,BPNN)、径向基神经网络(radial basis function neural network,RBFNN)三种建模方法建立稻种发芽率检测模型。分别用老化天数为0,2,4,6 d的稻种,在不同的偏振角共测量1 520组实验数据,其中912组数据作为校正集,608组数据作为预测集,建模结果表明三种模型预测精度较高,其中RBFNN模型预测精度最高,其相关系数r为0.976,均方误差RMSE为0.785,平均相对误差MRE为0.85%。表明利用连续偏振光谱技术通过多维度光谱信息能够有效实现稻种发芽率的快速、准确检测。     

Performance improvement of Ga N-based light-emitting diodes transferred from Si(111) substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes

Crack-free Ga N/In Ga N multiple quantum wells(MQWs) light-emitting diodes(LEDs) are transferred from Si substrate onto electroplating Cu submount with embedded wide p-electrodes. The vertical-conducting n-side-up configuration of the LED is achieved by using the through-hole structure. The widened embedded p-electrode covers almost the whole transparent conductive layer(TCL), which could not be applied in the conventional p-side-up LEDs due to the electrodeshading effect. Therefore, the widened p-electrode improves the current spreading property and the uniformity of luminescence. The working voltage and series resistance are thereby reduced. The light output of embedded wide p-electrode LEDs on Cu is enhanced by 147% at a driving current of 350 m A, in comparison to conventional LEDs on Si.