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在几何中,有些定值问题的逆命题的论证,往往颇费周折,比较棘手。但是,利用多项式恒等定理来证明,可化难为易,且思路精巧、自然、顺畅,下面我们举例说明。 相似文献
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月球表面遥感图像阴影消除及其信息恢复研究 总被引：1，自引：0，他引：1
由于月球表面的地形起伏引起月面遥感图像像素与太阳相对位置和几何取向不一致,导致月面遥感数字图像上阴影像素的产生。为了解决这一问题,利用与遥感图像匹配的DEM和光照方位参数进行遥感图像的阴影判断,基于DEM数据,利用邻坡反射辐射,进行自然地形条件下的月表遥感图像阴影像素的阴影消除,恢复成太阳光谱照度相等（入射角,反射角和距离相同）时的像素遥感值。仿真实验结果表明：该方法较好地消除了月表影像的阴影,充分恢复了月表影像的反射/光谱特征。 相似文献
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定义1在凸2n 1边形（n是自然数）中，如果一个顶点和一条边在它们两旁所夹的边数相等，我们就把这个顶点和这边的中点的连线段叫做这个2n＋1边形的中对残；在凸2n边形（n是不小于2的自然数）中，如果有两条边在它们两旁所夹的边数相等，我们就把这两边的中点的连线段叫做这个2n边形的中对线．定义2在凸2n边形中，如果它的一条对角线的两旁的边数相等，那么我们就把这条对角线叫做主对角线．显然，在三角形中，中线与中对线是同一概念．同样，梯形的中位线也是如此．我们知道，二角形的中线平分这个三角形的面积，这些中线不仅共点，而且所共… 相似文献
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在平面几何中,有一个众所周知的梯形中位线定理:梯形的中位线等于两底和的一半。下面将其推广并浅谈它的应用。我们可看到利用其推广来证题,显得简捷,并对某些较难的题目,利用它可使思路顺畅。 相似文献
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针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用. 相似文献
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