GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触

研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率。结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析,并对表面形貌进行了观测,对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究。测量结果表明,在入射光波长为400nm时,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍。同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性。     

八甲基环四硅氧烷阴离子乳液聚合反应的研究

有机硅高分子乳液在工业上有很广泛的应用,例如用作织物处理剂、润滑剂、涂层等。经有机硅高分子乳液处理后的纺织品,可以提高柔软、防皱、防缩、手感等诸方面性能。用机械设备乳化本体聚合的有机硅高聚物制得的乳液往往不够理想;而用乳液聚合方法制备的有机硅乳液,其颗粒小而均     

Electrical Characteristics of InGaN/AlGaN and InGaN/GaN MQW Near UV-LEDs

Electrical characteristics of In0.05 Ga0.95N/Al0.07Ga0.9aN and In0.05 Ga0.95N/GaN multiple quantum well （MQW） ultraviolet light-emltting diodes （UV-LEDs） at 400hm wavelength are measured. It is found that for InGaN/AlGaN MQW LEDs, both ideality factor and parallel resistance are similar to those of InGaN/GaN MQW LEDs, while series resistance is two times larger. It is suggested that the Al0.07Ga0.93N barrier layer did not change crystal quality and electrical characteristic of p-n junction either, but brought larger series resistance. As a result, InGaN/AlGaN MQW LEDs suffer more serious thermal dissipation problem although they show higher light output efficiency.     

八甲基环四硅氧烷阴离子乳液聚合反应的研究

研究了八甲基环四硅氧烷(D_4)在十二烷基本磺酸(DBSA)及其钠盐(Na-DBSA)作用下的阴离子乳液聚合反应,讨论了温度、乳化剂和催化剂用量对反应速度及聚合物分子量的影响。认为该聚合反应包括D_4的水解开环、D_4和羟基硅氧烷的加成及羟基硅氧烷之间的缩合三类基本反应,乳液颗粒表面是主要反应区。