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FC—72圆形射流冲击模拟电子芯片单相局部对流传热的实验研究 总被引:8,自引:0,他引:8
以最新微电子设备冷却剂FC-72为工质,实验研究了自由和浸没情况下,圆形射流冲击5mm×5mm模拟电子芯片的局部对流换热情况。喷嘴直径d=0.987mm,Re数范围为3488~42644。测定了自由和侵没情况下驻点换热及换热系数的径向分布,讨论了雷诺数、喷嘴一传热面间距的影响。首次发现FC—72自由射流在高Re数下,随着喷射间距的增加,驻点换热得到加强,而浸没射流随喷射间距的增大,驻点换热出现非单调性变化;给出了喷射间距z/d=4时驻点换热系数的关联式,并与其它工质的已有结果进行了比较;对换热系数径向分布的研究表明,与自由射流不同,浸没射流分布曲线上明显出现由层流向湍流过渡所引起的二次峰值。 相似文献
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