工业CT研制进展

本文介绍中科院上海原子核所工业ＣＴ（ＩｎｄｕｓｔｒｉａｌＣｏｍｐｕｔｅｒｉｚｅｄＴｏｍｏｇｒａｐｈｙ）的研究情况．工业ＣＴ借助于现代辐射成像技术，以建立高清晰度的物体断面图象．它在工业设备或产品的无损检测和质量评价中得到日益广泛的应用，显示出远胜于常规检测手段的优越特性，并正在步入工业生产程控领域． The research activities of industrial computerized tomography (ICT) at SINR is described. Because of its superior qualities in spatial and density resolutions, ICT has been and will be widely used in non-destructive test, quality evaluation and process control.     

STUDIES ON ION IMPLANTATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYACETYLENE FILMS

The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.     

核分析技术与材料科学

本文扼要地介绍了上海原子核所的核分析手段以及它在材料科学中的应用，它已在表面碰撞反应动力学，离子注入缺陷工程，纳米材料和纳米加工，以及团簇和富勒（Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅｓ）等当今几个前沿材料科学研究领域中取得了较为显著的进展． In this paper the nuclear analysis techniques in the Shanghai Institute of Nuclear Research and their applications in material science have been briefly introduced. Progresses have been made during recent years in studies, in particular, on the surface collision dynamics, ion implantation defects, nanometer-scale materials and nanometer-processing,cluster and fullerene.     

计算机断层扫描技术的工业应用

编者按：这是一篇好文章，尤其在宣传科学技术是第一生产力的活跃时期，它具有很强的现实意义，说明基础研究可为国民经济创造巨大财富．我们借此栏目向科研工作者及在诸如钢铁工业．电力工业、石化工业、兵器工业，海空军军械工业、机械制造业等生产制造领域的广大工程技术人员推荐这一篇有启发、有借鉴、有开拓和有吸引力的文章．     

以光诱导Fenton反应控制M-PEIs纳米凝胶的粒径

基因治疗,就是将正常基因导入体内以弥补缺失或替换突变基因来医治囊性纤维化和血友病等[1]多种疾病.而制备高效安全的基因转染载体至今仍是基因治疗的一个瓶颈.非病毒类载体的基因转染效率目前虽不高,但由于其具有低毒、低免疫反应、无基因插入片断大小限制、制备方便、易保存     

用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布

利用2.0—2.5MeV ⁴He 的弹性反冲探测方法,测量了二氧化硅和氮化硅膜层中的氢分布,并给出氢含量与淀积工艺条件的关系.讨论了在给定的实验条件下最大的探测深度、探测灵敏度极限和深度分辨率.     

聚乙炔离子注入掺杂及电性能的研究

本文用Ar~+,Fe~+,Cl~+,I~+,Na~+和K~+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10~(13)-3×10~(17)cm~(-2).借助红外光谱、卢瑟福背散射分析及四探针等测试方法,考察了离子注入诱导聚乙炔膜的化学结构及导电性能的变化,检测了化学掺杂与离子注入杂质的深度分布和p-n结的形成,并在此基础上探讨了离子束与聚合物相互作用过程的机理.     

聚乙炔的离子注入法掺杂

<正> 离子注入是一种物理摻杂方法,在半导体器件的制备中已得到广泛的应用,它与常规的化学、电化学或热扩散掺杂相比具有一些特点:可以通过质量分析器选取单一的注入离子,故掺杂杂质的纯度高;根据注入离子的剂量和能量,精确控制到掺人杂质的数量和深度等等。近年来,采用离子注入技术进行掺杂,改变聚合物或其它绝缘材料表面性质的研究已逐步引起重视真视。