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物理学
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2011年
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1
1.
半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备
总被引:3,自引:2,他引:1
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周路
王云华
贾宝山
白端元
张斯钰
乔忠良
高欣
薄报学
《发光学报》
2011,32(12):1292-1296
提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能...
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