高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响

采用射频磁控溅射方法在纯N₂气氛中沉积了非晶CN_x薄膜样品，并 在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CN_x薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变 化进行研究.用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化，其中sp²键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关.退火实验的结果表明 高温退火可以导致CN_x薄膜中N含量大量损失，并在薄膜中形成大量sp^{2< 关键词： x薄膜')" href="#">CN_x薄膜 化学键合 退火温度 场致电子发射}     

高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响

采用射频磁控溅射方法在纯N2气氛中沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CNx薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变化进行研究.用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化,其中sp2键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关.退火实验的结果表明高温退火可以导致CNx薄膜中N含量大量损失,并在薄膜中形成大量sp2键,这些化学成分及键合结构上的变化将直接影响CNx薄膜的场发射特性.与其他温度退火样品相比,750 ℃退火的样品具有最低的阈值电场,显示出较好的场发射特性.     

钛合金微弧氧化过程中电学参量的特性研究

利用自制的数据采集系统研究了恒定电压下TC4钛合金微弧氧化(MAO)过程中有关电学参量随处理时间的变化规律. 结果表明，通电回路中的阴极和阳极峰值电流随处理时间的变化明显分为4个阶段；膜厚度随处理时间的变化明显分为3个阶段；氧化膜的动态正、反向电阻和动态正、反向电阻率也随处理时间分阶段变化. MAO过程中，各时刻的动态正、反向电阻值不同，一般情况下，动态正向电阻大于反向电阻. 对不同处理时间样品的扫描电子显微镜分析表明，MAO膜呈多孔结构并随处理时间变化.     

Preparation and Characteristics of GaN Films on Freestanding CVD Thick Diamond Films

Prefer-oriented and fine grained polycrystalline GaN films are prepared by plasma enhanced metal organic chemical vapour deposition on nucleation surfaces of freestanding thick diamond films. The characteristics of the GaN films are characterized by x-ray diffraction, reflection high energy electron diffraction and atomic force microscopy. The results indicate that the structure and morphology of the films are strongly dependent on the deposition temperature. The most significant improvements in morphological and structural properties of GaN films are obtained under the proper deposition temperature of 400°C.     

电流密度对铝合金微弧氧化膜物理化学特性的影响

利用微弧氧化(MAO)技术，在LYl2铝合金上沉积了显微硬度达42.14GPa的超硬陶瓷膜.采用x射线衍射仪和显微硬度计研究了阳极电流密度j_a和阴极、阳极电流密度比j_c/j_a对MAO膜相构成和力学特性的影响.此外，利用扫描电子显微镜和恒电位仪分别对膜的微结构和抗点腐蚀特性进行了分析.结果表明，高j_a制备的膜主要含α-Al₂O₃相，低j_a制备的膜主要含γ-Al₂O₃相.显微硬度测试表明，这类膜有较高的硬度，但以j_a=15A/dm²和j_c/j_a=0.7制备的陶瓷膜硬度最高.抗点腐蚀测试表明，j_c/j_a对陶瓷膜的微结构有很强的影响. 关键词： 微弧氧化 显微硬度 电流密度 抗点腐蚀     

甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用

采用热阴极DC－PCVD方法制备了金刚石膜，研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响。结果表明，通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态，保持阴性清洁，提高膜的生长质量。用扫描电镜和拉曼光谱等测试手段对金刚石膜的生长特性进行了分析。     

阴极电压脉冲占空比对钛合金微弧氧化膜特性的影响

利用自制多功能微弧氧化电源,在保持双极性电压脉冲幅度不变的条件下,研究了阴极电压脉冲占空比（d_c）对钛合金微弧氧化膜特性的影响.结果表明：阴、阳极的峰值电流随处理时间的变化分为几个不同阶段,各阶段的开始和结束时间与d_c密切相关.氧化膜主要由金红石和锐钛矿相TiO₂组成,金红石相TiO₂的相对含量在d_c=50%附近随d_c的 关键词： 微弧氧化 钛合金 占空比     

自持金刚石厚膜上沉积生长ZnO薄膜及发光特性

采用磁控溅射在自持CVD金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并实验研究了其生长特性和发光特性随O2和Ar流量的变化。利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱、电子探针(EPMA)和霍尔测量对样品进行了检测。结果表明,在O2/Ar比值约为1时沉积得到的ZnO薄膜取向较一致,呈现高阻的状态并且发光性能最好。