排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb∶Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb∶YAG/YAG)复合晶体。利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺。通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量。研究表明Yb∶YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化。 相似文献
2.
3.
氟化钙晶体的抗γ射线辐照性能是其在太空应用的关键性能之一。本文报道了痕量La杂质对氟化钙晶体γ辐照诱导色心的影响。主要采用吸收光谱、电子顺磁共振(EPR)等手段对辐照前后存在不同痕量La杂质的氟化钙晶体进行研究。结果表明,辐照后的氟化钙晶体产生多个色心吸收带,且吸收带的吸收系数随辐照剂量和La杂质浓度增加而增加。EPR证实这种吸收带的形成是由氟化钙晶体中F心引起的,而La3+的存在影响氟化钙晶体F心的稳定性和光谱位置,本文提出了La3+与氟化钙晶体中F心存在的可能机制。 相似文献
4.
采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb:YAG/YAG)复合.晶体.利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺.通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量.研究表明Yb:YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化. 相似文献
5.
本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce^3 :LaAlO3晶体。沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品。测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce^3 :LaAlO3从190nm到2500mm的吸收谱和透过谱。测试结果表明:纯LaAlO3晶体在196~220nm处出现宽带吸收,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低;未退火的Ce^3 :LaAlO3晶体在196~209nm,246nm,314nm出现明显的吸收波段,氢气退火后其吸收谱发生显著变化,在198,206,214,246和314nm处出现对应于ce^3 的4f-5d的跃迁吸收;Ce^3 :LaAlO3晶体较之纯LaAlO3晶体在红外区的透过率要高;氢气退火后,Ce^3 :LaAlO3晶体和纯LaAlO3晶体在红外区的透过率下降。 相似文献
6.
GaN基发光二极管(LED)作为第三代照明器件在近年来发展迅猛.衬底材料作为LED制造的基础,对器件制备与应用具有极其重要的影响.本文分析综述了衬底材料影响LED器件设计与制造的关键特性(晶格结构、热胀系数、热导率、光学透过率、导电性),对比了几种常见衬底材料(蓝宝石、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧化镓)在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面的研究进展,并对几种材料的发展前景做出了展望. 相似文献
7.
8.
氟化钙(CaF2)晶体具有紫外透过率高(>99;@193 nm)、抗激光损伤阈值高等特点,在高功率紫外激光器、深紫外光刻机等领域具有广泛的应用.应力双折射是氟化钙晶体在实际应用中的关键性能指标,会导致通过晶体的光束发生形变,严重影响成像质量.采用坩埚下降法制备了尺寸为φ210 mm的氟化钙晶体,系统研究了CaF2晶体的位错和小角度晶界以及结晶质量对晶体应力双折射的影响,实验结果表明,位错密度的增高、小角度晶界的聚集、结晶质量的变差,会引起局部残余应力的集中,加剧应力双折射现象. 相似文献
9.
Yb:Y3Al5O12晶体晶格振动光谱的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用提拉法生长Y3Al5O12(YAG)晶体和Yb3 掺杂原子数分数分别为5%,10%,15%,20%,25%,50%和100%的Yb:Y3Al5O12(Yb:YAG)晶体.系统表征和分析了Yb3 掺杂浓度对拉曼光谱的影响.随着Yb3 掺杂浓度的增加,晶体的振动模式没有明显的变化,晶体结构没有改变;在370 cm-1和785 cm-1附近,振动吸收峰的半峰全宽逐渐增大.分析得出,Yb3 掺杂浓度对晶体的晶格、对称性、荧光寿命均有影响,从而可能影响到晶体的光谱和激光性能. 相似文献
10.
采用提拉法生长Y3A15O12(YAG)晶体和Yb^3+掺杂原子数分数分别为5%,10%,15%,20%,25%,50%N100%的Yb:Y3A15O12(Yb:YAG)晶体。系统表征和分析了Yb^3+掺杂浓度对拉曼光谱的影响。随着Yb^3+掺杂浓度的增加,晶体的振动模式没有明显的变化,晶体结构没有改变;在370cm^-1和785cm^-1附近,振动吸收峰的半峰全宽逐渐增大。分析得出,Yb抖掺杂浓度对晶体的晶格、对称性、荧光寿命均有影响,从而可能影响到晶体的光谱和激光性能。 相似文献
1