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利用短时指数传播子的对称侵害法,数值求解一维情况下的含时薛定谔方程,研究了一维多原子分子离子在双色（基频：780nm,三倍频：260nm)激光场中的增强电离行为,给出了相对相位对不同核间距处的电离几率的影响。计算结果显示,在发生增强电离行为的核间距处,相对相位对电离几率的影响最为显著。最后,文中用标准静场电离模型给出了合理解释。 相似文献
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本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000 km轨道带电粒子辐
关键词：
GaAs/Ge太阳电池
辐照损伤
带电粒子
位移损伤剂量 相似文献
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采用提拉法在聚酰亚胺薄膜表面分步涂覆了银纳米线及疏水纳米二氧化硅, 分别构筑了导电网络及超疏水涂层, 制备了超疏水抗静电透明薄膜. 研究结果表明, 超疏水抗静电透明薄膜保持了较高的透光性, 其透光率高于90%. 同时, 银纳米线网络的构筑有效增加了超疏水抗静电透明薄膜的导电性, 使其表面电阻介于106~1010 Ω之间, 达到了抗静电要求. 水滴在该薄膜表面静态接触角高达156.4°, 滚动角小于1°, 展现了优异的超疏水特性. 通过导电网络及疏水涂层的构筑, 实现了透明及抗静电超疏水多功能的统一. 相似文献
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