决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素

影响发光二极管光提取效率的主要因素有：出光表面状态、上电极和体内吸收．对于ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收．一般采用出光表面粗化、窗口层、ＤＢＲ反射器等措施来提高光提取效率．本文以自发辐射随机分布模型为基础，以ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管典型结构的各种参数为依据，从理论上分析了这几种主要措施对光提取效率的影响．     

半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体实现超短脉冲可见激光发展状况

介绍了当前国际上流行的一种用于固体激光器被动锁模以获得皮秒和飞秒宽度脉冲的新型半导体吸收体 半导体可饱和吸收镜的基本原理和制作方法。描述了利用半导体可饱和吸收镜和倍频晶体获得可见光超短脉冲激光方面的研究现状,指出半导体可饱和吸收镜的使用将会加速超短脉冲三基色激光器的研制进程。