a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究

利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si ∶H/SiO₂多量子阱结构材料.对a-Si ∶H/SiO₂多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100 ℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H/SiO₂量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较了a-Si ∶H/SiO₂多量子阱材料与相同制备工艺条件下a-Si ∶H材料的吸收系数,在紫外/可见短波段前者的吸收系数明显增大,光学吸收边蓝移,说明该材料 关键词： 多量子阱 量子限制效应 光学吸收 能带结构     

3.5～12.5μm三波段宽带红外Ge窗口多层增透膜的研制

介绍了利用三种材料Ge、ZnS和YbF3在Ge基片上制备3．5～12．5μm三波段宽带增透膜的膜系设计、制备工艺及光学、机械性能测试结果。该元件可应用于空间红外遥感系统。     

DWDM极窄带干涉滤光片的误差与自动补偿效应

针对现代光通信中的核心元件之一--密集型波分复用(DWDM)系统中极窄带光学薄膜干涉滤光片的指标要求,提出采用基于四分之一波长的规整膜系是实现密集型波分复用功能的最佳选择.对给定的设计方案的各个膜层的误差灵敏度分布、特定膜层的误差成因进行了分析,并对多个膜层进行了随机分布的误差模拟.通过对直接极值法监控中不同误差的补偿机理的研究,指出采用直接极值法监控是目前为止镀制这种滤光片的有效方法.最后讨论了可能存在的两种系统误差.