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1.
建立了一种基于化学反应-顶空气相色谱测定气相二氧化硅表面硅羟基含量的新方法。实验取气相二氧化硅放入顶空瓶中于105 ℃烘箱中加热2 h去除水分,将甲苯稀释的格氏试剂注入密闭的顶空瓶中,格氏试剂与气相二氧化硅表面硅羟基快速反应产生甲烷(CH4),甲烷量与气相二氧化硅表面硅羟基含量成正比。经过气相色谱-氢火焰离子化检测器测定甲烷,通过外标法定量,根据化学反应方程式计算出样品中羟基含量。同时对反应溶液用量与反应时间等条件进行优化,确定2.0 mL反应溶液,反应15 min为最优的前处理条件。结果表明,硅羟基含量与气相色谱信号值之间存在良好的线性相关性,相关系数为0.9990,相对标准偏差小于3%,本方法的检出限为0.30 mg/g,定量限为1.00 mg/g,开展了4家实验室对5个不同比表面积的样品测试,数据结果的重复性限(r)小于2.5%,再现性限(R)小于6.5%。该方法结合自动化技术,顶空反应操作简单,样品量和试剂用量少,准确性高,重复性好,优于酸碱滴定法,适用于快速检测气相二氧化硅表面硅羟基的含量,解决了硅羟基利用传统方法难以准确测定的难题。该方法的建立对我国二氧化硅产业硅羟基检测标准的制定和产业技术优化,均具有重要的理论和现实意义。  相似文献   
2.
陈志敏  王大海 《实验力学》2002,17(2):147-152
在二元翼型风洞实验段中的侧壁边界层将引起模型展向流动的不均匀性,使预想的二元流动受到三元扭曲,引起实验数据的误差,目前消除或减少侧壁干扰的有效方法之一是采用侧壁抽吸技术。本文就抽吸的有效性,抽吸区域和阻尼材料等问题进行了讨论和分析,并对抽吸技术中的问题提出了一些看法。  相似文献   
3.
王大海 《中国科学A辑》1991,34(3):317-324
本文提出的全方位鲁棒调节性能指标,采用了原经典控制指标的几何形象术语,保持了以往指标的长处,且适用于多输入多输出系统。该指标不是“跟踪”性指标,它考虑了来自状态空间各种方位的可能干扰,能体现系统的整体调节特性。文中分析了新旧指标的特点,给出了新指标的计算方法,并进一步指出:此组全方位指标可转化为一种标量的便于设计时对参数进行优化计算的泛函指标,按此泛函优化,可使闭环系统的鲁棒性能和整体调节性能同时得到改善,且可使闭环系统的特征向量系接近正规化。目前,无论是状态反馈还是输出反馈,都已有按此指标泛函进行优化设计的一些切实可行的方法了,但极少谈及调节性能。  相似文献   
4.
光纤陀螺捷联系统最优多位置对准   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用把线性时变系统作为分段定常系统来进行可观测性研究的方法,将初始对准的最优多位置法应用于光纤陀螺捷联系统,分析了多位置对准的可观测性,通过仿真说明将多位置法应用于光纤陀螺捷联系统是有效的。  相似文献   
5.
 为了估计聚变中子产额Cu活化测量法中加速器中子源刻度与实际测量中几何条件不一致对测量结果的影响,通过对MCNP进行二次开发,用蒙特卡罗方法计算了这两种情况下有角关联的γ γ符合探测效率,通过与刻度实验结果比较,验证了计算结果的正确性,得出了几何条件的差别引起探测效率的增加小于3%的结论。  相似文献   
6.
The T-gate stem height of In Al As/In Ga As In P-based high electron mobility transistor(HEMT) is increased from165 nm to 250 nm. The influences of increasing the gate stem height on the direct current(DC) and radio frequency(RF)performances of device are investigated. A 120-nm-long gate, 250-nm-high gate stem device exhibits a higher threshold voltage(Vth) of 60 m V than a 120-nm-long gate devices with a short gate stem, caused by more Pt distributions on the gate foot edges of the high Ti/Pt/Au gate. The Pt distribution in Schottky contact metal is found to increase with the gate stem height or the gate length increasing, and thus enhancing the Schottky barrier height and expanding the gate length,which can be due to the increased internal tensile stress of Pt. The more Pt distributions for the high gate stem device also lead to more obvious Pt sinking, which reduces the distance between the gate and the In Ga As channel so that the transconductance(gm) of the high gate stem device is 70 m S/mm larger than that of the short stem device. As for the RF performances,the gate extrinsic parasitic capacitance decreases and the intrinsic transconductance increases after the gate stem height has been increased, so the RF performances of device are obviously improved. The high gate stem device yields a maximum ft of 270 GHz and fmax of 460 GHz, while the short gate stem device has a maximum ft of 240 GHz and the fmax of 370 GHz.  相似文献   
7.
基于关键器件的光纤陀螺可靠性评估   总被引:1,自引:0,他引:1  
以可靠性评估技术为基础,采用关键器件法对光纤陀螺工作状态下可靠性指标进行评估。通过对光纤陀螺实施故障模式、影响及危害性分析以及故障树分析,确定光纤陀螺的关键器件为超辐射发光二极管(SLD)光源,结合SLD光源性能退化数据对SLD光源进行可靠性评估,得到SLD光源的可靠度曲线。由关键器件转换法原理可知,曲线即为光纤陀螺工作状态下可靠度曲线。通过与整机法的评估结果进行对比,得出基于关键器件的光纤陀螺可靠性评估是可信的,为光纤陀螺可靠性评估提供了一种切实可行的方法。  相似文献   
8.
在En=4.5—18.3 MeV 能区,用活化法测量了27Al(n,α)24Na,46Ti(n,p)46Sc1),48Ti(n,p)48Sc1),51V(n,α)48Sc 和127I(n,2n)126I 的激发曲线.在 En=14.61±0.20 MeV 处,以伴随粒子法作中子通量测量,得到了27Al(n,α)24Na 反应截面.其他反应以此截面为标准进行绝对测量.产物核放射性用经标定过效率的 NaI(Tl)闪烁谱仪测量.结果分别为117.5±3.0 mb,291.4±14.0 mb,63.7±3.2 mb,16.8±0.9 mb 和1656±68mb.最后对测量结果进行了简单的比较.  相似文献   
9.
经验系数法在赤泥X射线荧光光谱分析中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
在国外,X射线荧光光谱法在铝工业中的应用已有20年的历史。不少作者先后报导过铝土矿,赤泥的X射线荧光光谱分析法。在我国铝工业中则刚开始应用这种方法。氧化铝生产流程中的废渣俗称赤泥,其主要成分是铝、钠、硅、铁、钙和钛的氧化物。掌握赤泥成分的变化是氧化铝生产及工艺研究的重要一环。为此我们研究了赤泥的X射线荧光光谱分析方法,探讨了Plesch选择判据在确定基体校正元素中的应用。实验证明方法可靠,准确度和精密度跟化学法相当,具有分析速度快的优点。  相似文献   
10.
 介绍了测定聚变中子产额铜活化法的原理 、γ-γ符合计数系统、软件结构和功能、标定等。γ-γ符合计数系统中,辐照样品的计数指令发出后,计数、存储、数据处理到输出最终测量报告,全部由计算机进行控制,提高了数据的可靠性和工作效率。  相似文献   
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