Co掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响

采用PVA溶胶-凝胶方法，在玻璃衬底上制备了Zn_1-xCo_xO薄膜，利用X射线衍射仪(XRD)研究了不同Co含量对其微结构的影响.采用振动样品磁强计(VSM)测量了Zn_0.88Co_0.12O样品室温下的磁性.采用荧光光谱仪研究了Zn_1-xCo_xO样品室温下的发光特性，分析掺杂含量对其发光性能的影响，发现随着掺杂含量的增加，蓝光发光峰有一定的红移现象. 关键词： PVA方法 ZnO 掺杂     

三维碳微米网膜电极的锂电化学特征

在无氧环境下热解具有一定图样的SU-8光刻胶,成功地制备高度有序的碳微米网薄膜(CMNFs)。TEM和SAED结构特性测试表明该CMNFs为晶态和无定形碳混合相。CMNFs薄膜首次放电容量可达到300 μAh·cm^-2,在随后的循环中可逆容量保持在70 μAh·cm^-2。通过比较CMNFs在充放电循环前后形貌的变化,可以发现CMNFs能够保持原有网状结构,但网格骨架发生膨胀。这种膨胀与CMNFs表面的固相电解质中间相(SEI)形成有关。CMNFs具有较好的循环稳定性显示了在将来三维锂电池中是一个非常有希望的负极材料。     

采用PVA方法制备ZnO基发光稀磁半导体

不同的制备工艺对ZnO薄膜的微结构和性能有很大的影响,为了得到成本较低,样品具有较好特性的实验方法,对于制备手段进行了探索。使用PVA溶胶-凝胶法制备了Zn_0.88Co_0.12O薄膜,研究了不同退火工艺对其微结构的影响。对于Zn_0.88Co_0.12O样品的微结构和室温下的铁磁性和发光特性,具体比较分析了产生原因。对比了Co掺杂和复合Co、Fe掺杂Zn_0.88(Co_0.5Fe_0.5)_0.12O样品的微结构,采用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁特性,发现单一掺杂的薄膜具有更好的晶体质量和更强的磁性。     

镁含量和热处理对Zn1-xMgxO薄膜结构和发光性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn_1-xMg_xO(x=0.1,0.2,0.3, 0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜.X射线衍射谱(XRD)测试结果发现,在 0.1<x<0.3 范围内,薄膜仍然保持氧化锌六角纤锌矿结构,(002)面衍射峰位向大角度方向移动,超过0.3时出现氧化镁立方相.对镁含量为0.1,0.2,0.3薄膜的光致发光谱研究表明：紫外发光峰随镁含量的增加向短波方向移动.对于Zn_0.9Mg_0.1O薄膜,在5,5.5和6℃/min的升温速率下,升温速率越快结晶程度越好.在相同升温速率下,随着退火温度从500 ℃升高到560 ℃,样品的结晶程度变好,当退火温度达到590 ℃时,结晶质量下降. 关键词： 氧化锌 结构 禁带宽度 光致发光谱     

红外通信特性实验

介绍红外线和红外光学材料的基本原理和特性,在实验教学中开设红外通信实验,并通过对影响实验的相关参数进行研究,使学生了解红外材料的基本特性及简单的应用.     

溶胶-凝胶法制备Zn1-xMgxO薄膜及其发光性质

采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜。X射线衍射(XRD)谱测试结果发现:在0.10.3时出现MgO立方相。薄膜光致发光谱研究表明紫外发光峰随Mg含量的增加向短波方向移动,且随着退火温度的升高发生明显蓝移,禁带宽度增大。但是退火温度为590℃的样品较560℃样品的发光峰出现红移。     

镁含量和热处理对Zn1-xMgxO薄膜结构和发光性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜.X射线衍射谱(XRD)测试结果发现,在0.1相似文献   

一维光子晶体微腔的光放大和耦合腔的滤波特性研究

用传输矩阵法(TMM)研究了由SiO2和TiO2组成的一维光子晶体微腔的放大特性和耦合腔光子晶体的滤波特性.结果表明:在微腔光子晶体的缺陷层中掺杂一定浓度的Er+3,则对中心波长λ0=1.532μm,可以实现光放大;而二耦合腔或三耦合腔光子晶体可以作为二波长或三波长的滤波片.     

基于响应面法的半水硫酸钙晶须制备工艺优化

本研究以氯化钙、硫酸为主要原料,采用常压酸化法制备半水硫酸钙晶须.以长径比、长度为主要指标,在单因素实验的基础上,运用响应面法中的Box-Behnken design对反应温度、硫酸浓度、反应时间、搅拌速度进行优化,建立半水硫酸钙晶须制备工艺的数学模型,研究制备的最优工艺条件.结果表明,制备半水硫酸钙晶须的最优工艺条件为:反应温度103℃、硫酸浓度7.4;、反应时间60 min、搅拌速度288 r·min-,得到的晶须样品形貌规整、均一,平均长径比为82.2,φ90为53.3,平均长度为562 μm.