X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应研究

研究了X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应.根据多层膜中的X荧光强度理论计算公式编写了计算机程序,并计算了Zn/Fe和Fe/Zn双层膜样品中不同薄膜厚度时Fe Kα的一次荧光强度、二次荧光强度、二次荧光与一次荧光强度比以及二次荧光在总荧光强度中比例.研究发现,在多层膜样品的X射线荧光分析中,激发条件不变的情况下,元素谱线的一次荧光相对强度、二次荧光相对强度和二次荧光在总荧光强度中所占比例都随薄膜厚度及位置的变化而变化.当Fe和Zn层厚度相同时,随厚度的变化,对于Fe/Zn样品,Fe Kα二次荧光强度占总荧光强度最高为9%,而对于Zn/Fe样品这一比例最高可达35%.     

辉光放电质谱法在无机非金属材料分析中的应用

辉光放电质谱法(GDMS)作为一种固体样品直接分析技术,已广泛应用于金属、半导体等材料的痕量和超痕量杂质分析。近年来,随着制样方法和离子源装置的改进,GDMS同样也能很好地应用于玻璃、陶瓷、氧化物粉末等非导体材料的成分分析。简介了GDMS的基本原理和分析特点,概述了GDMS在无机非金属材料分析的方法以及应用情况。     

X射线荧光光谱法表征薄膜进展

X射线荧光光谱法表征薄膜样品以其能同时测定样品的组分和厚度等优点,目前在国内外的研究和应用越来越广泛和深入.文章通过从荧光强度理论计算、基体效应和校正方法、分析误差来源及消除、定量分析软件和实际分析应用等几个方面对X射线荧光光谱法表征薄膜样品的研究作了评述.鉴于薄膜样品制备相似标样比较困难,而基本参数法采用非相似标样表征薄膜的准确度较高,因此基本参数法校正薄膜样品的应用比较广泛.重点介绍了基本参数法的荧光强度理论计算公式的发展、计算误差来源以及分析软件应用.展望了X射线荧光光谱法表征薄膜样品的应用前景和发展方向.     

PbBi_2Nb_2O_9的晶体结构

PbBi_2Nb_2O_9晶体属正交晶系,空间群为D_(2h)~(23)-Fmmm。晶胞参数为a=5.4806(7)A,b=5.4791(7)A,c=25.416(3)A,α=β=γ=90.0(0)°,V=763.2(2)A~3。单位晶胞内化学式数z=4,D_(obs)=7.91g/cm~3,D_x=8.26g/cm~3,μ(Mo,K_α)=678.38cm~(-1),F(000)=1608。用直接法(Multan-78程序)及Fourier方法测定了结构,对结构的原子位置参数、各向同性及各向异性热参数进行了块对角矩阵最小二乘方修正,R=0.107。Nb-O八面体为O_h→C_(4v)型畸变,处于八面体内的Nb原子沿4次轴方向与中心位置偏离0.225A,Nb-O八面体的畸变及Nb原子的这种偏离可能是PbBi_2Nb_2O_9晶体具有铁电性能的主要结构原因。     

X射线荧光光谱法测定Zn镀层质量厚度及计算谱线选择问题研究

用X射线荧光光谱法测定了Fe基上Zn镀层的质量厚度；研究了厚度不同时选用不同谱线计算对测定结果的影响，发现在镀层质量厚度较小时（约〈14mg／cm^2）测量Zn元素的Kα线，质量厚度较大时选择Zn的Kα和Fe的Kα线共同计算，用纯元素和相似标样校正测定结果之间的偏差最小；用纯元素作校正标样测定了3个标准样品的Zn镀层质量厚度，计算结果与标准值符舍得较好。     

Bi2Pb2V2O10的晶体结构

使用X射线单晶衍射法测定了Bi₂Pb₂V₂O₁₀的结构。该晶体属三斜晶系,空间群为C₁¹-P1,单位晶胞内化学式数Z=1,晶胞参数为:a=7.084(4)?,b=7.278(3)?,c=5.587(3)?,α=111.91(5)°,β=95.01(6)°,γ=108.86(4)°,V=245.70?³,D_x=7.35g/cm³,μ(MoK_α)=678,94cm^-1,F(000)=456。用Patterson函数分析及Forier技术测定了结构,对原子坐标、各向同性及各向异性热参数进行了最小二乘方修正,R=0.079。结构分析表明,Bi₂Pb₂V₂O₁₀的Pb原子与O原子形成八角十二面体,Bi原子与O原子形成六角多面体。两个共棱的Pb—O多面体与两个共棱的Bi—O多面体相连,并沿bc平面无限延伸。讨论了吸收的影响。最后,将Bi₂Pb₂VO₁₀的结构与Pb₂SO₅的结构进行了比较。 关键词：     

XRF中激发电位和靶材对散射效应增强荧光强度的影响研究

采用一组熔融片样品研究了由不同的X光管激发电位和不同的X光管靶材(Cr靶和Rh靶)所导致的入射X射线能量及强度分布变化对3种散射效应增强荧光强度的影响规律.研究的散射增强包括相干散射激发的荧光强度、非相干散射激发的荧光强度以及其他方向的一次荧光被散射进探测方向的强度.研究结果表明,对于采用的熔融片,相干散射效应和一次荧光被散射进探测器方向增强效应对荧光强度的贡献随X光管激发电位增大而减小,用Cr靶原级谱激发比用Rh靶原级谱激发贡献大;而非相干散射效应对荧光强度的贡献则随X光管激发电位增大而增大,用Rh靶原级谱激发比用Cr靶原级谱激发贡献大;3种散射效应对荧光强度的总贡献随X光管激发电位增大而增大,在Rh靶原级谱激发条件下比用Cr靶原级谱激发贡献大.     

X射线荧光光谱中散射效应对荧光强度的贡献研究

采用理论计算和实验测定的方法研究了在纯元素样品、BaB二元样品及熔融片样品中三种散射效应对荧光强度的贡献(包括相干散射X射线激发的荧光强度、非相干散射X射线激发的荧光强度以及其他方向的一次荧光X射线被散射进探测方向的强度)大小及其变化规律.研究结果表明,三种散射效应对荧光强度的贡献大小与所研究元素原子特征谱线的能量及样品的基体有关,元素原子的特征谱线能量越高,散射效应对荧光强度的贡献越大;轻基体样品中散射效应对荧光的贡献比重基体样品大.实验证明,将散射效应包括在基本参数法的理论计算中可以有效地提高理论计算的准确度.     

Bi_2Pb_2V_2O_(10)的晶体结构

使用X射线单晶衍射法测定了Bi_2Pb_2V_2O_(10)的结构。该晶体属三斜晶系,空间群为C_1~1-P1,单位晶胞内化学式数Z=1,晶胞参数为:a=7.084(4)A,b=7.278(3)A,c=5.587(3)A,α=111.91(5)°,β=95.01(6)°,γ=108.86(4)°,V=245.70A~3,D_x=7.35g/cm~3,μ(MoK_α)=678,94cm~(-1),F(000)=456。用Patterson函数分析及Fo rier技术测定了结构,对原子坐标、各向同性及各向异性热参数进行了最小二乘方修正,R=0.079。结构分析表明,Bi_2Pb_2V_2O_(10)的Pb原子与O原子形成八角十二面体,Bi原子与O原子形成六角多面体。两个共棱的Pb—O多面体与两个共棱的Bi—O多面体相连,并沿bc平面无限延伸。讨论了吸收的影响。最后,将Bi_2Pb_2VO_(10)的结构与Pb_2SO_5的结构进行了比较。     

PbBi2Nb2O9的晶体结构

PbBi₂Nb₂O₉晶体属正交晶系,空间群为D_2h²³-Fmmm。晶胞参数为a=5.4806(7)?,b=5.4791(7)?,c=25.416(3)?,α=β=γ=90.0(0)°,V=763.2(2)?³。单位晶胞内化学式数z=4,D_obs=7.91g/cm³,D_x=8.26g/cm³ 关键词：