丝瓜种子萌芽及子叶生长过程中谷氨酰胺合成酶同工酶的变化

测定了丝瓜种子萌芽及子叶不同生长阶段的谷氨酰胺合成酶(GS)的活性及其同工酶的变化．除了发育上的变化外，光和外源氮对GS活性及其同工酶影响也是显著的．无论外源氮(N)是否存在，GS活性在种子萌芽和子叶生长初期是逐渐升高的，于第6天达到最大，其后活性逐步降低．在光照下，外源氮对GS1诱导作用大于GS2；在无氮下，光对GS2的刺激大于GS1；在暗处，外源氮对GS1和GS2两者都有诱导作用．     

基于概念的教育资源元素材聚类方法研究

针对教育资源元素材种类多、独立性强等特点，研究了概念聚类方法解决领域知识的分类和归并问题，并实现了概念的动态聚类算法和归并算法，分析了该算法的效率和聚类准确性．     

黄瓜(Cucumis sativus L.)子叶发育过程中谷氨酰胺合成酶同工酶的变化

采用Native-PAGE和活性染色的方法检测黄瓜种子萌发和子叶发育过程中GS同工酶的类型和活性，以期了解同工酶在子叶发育过程中的作用，在下种子中，只观察到一种不同于GS1和GS2形式的同工酶随着发育过程迅速消失，在种子萌发和子叶发育过程中，子叶GS1活性先于GS2出现，而且两者活性均很快升高；子叶绿化后GS2是主要的，外源氮素能硅著增强它的活性；子叶发育后期这两种同工酶活性逐步下降，在真叶发育中，同样观察到两种GS同工酶，以GS2为主．在暗转光后，GS2明显被诱导；而当光／暗转换后，GS1活性在子叶和真叶中均显著增加．GS同工酶活性随发育以及环境条件的变化而改变的现象与它们在代谢上的功能需要是一致的。     

基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计

随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。     

氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响

介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm³/min和30 cm³/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As-O键和Ga-O键基本消失。     

半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备

提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999％)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能...     

高血压患者血清中微量元素镉铅含量水平的探讨

１６５例高血压患者血清中镉和铅的含量与对照组比较,两者均出现升高,差异有高度的显著性,Ｐ〈０．０１。临床上应及时服用适量的硒和锌以拮抗镉与铅的毒害作用,促进机体康复。     

昆明市区400名学前儿童发铅锌测定及其相关分析

为了解学前儿童头发中铅锌含量及两元素间的关系,采用火焰原子吸收分光光度法对昆明市三所幼儿园４００名学前儿童进行了发中铅锌含量测定。结果表明,发铅≥１０＊１０＾－６者２３２入,占５８％;发锌≤１００＊１０＾－６者２４０人,占６０％铅锌两元素呈负相关。     

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。     

无损耗型及损耗型分布布拉格反射镜光学特性的传输矩阵理论分析及优化(英文)

利用传输矩阵理论对无光学损耗和有光学损耗的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)分别进行了结构分析与优化。在光场正入射条件下,对具有HL、HLH、LH及LHL结构的DBR内部光场分布情况进行了模拟分析和实验验证。结果表明:光场正入射到DBR后,在HL及HLH型DBR结构内部的光场分布最弱。当组成DBR的材料层消光系数为0.01时,HL及HLH型DBR内部产生的能流密度吸收量最小,为其他结构的10%左右,材料吸收引起的中心波长反射率降低仅为3.6%;而LH及LHL型DBR结构由于材料吸收而导致反射率降低29.2%。因此,采用高折射率材料层作为DBR结构的第一层有利于提高DBR反射率,降低光学吸收。最后,通过MOCVD外延生长了具有HL结构的吸收型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As DBR结构,并对其反射特性进行了测试。