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针对大功率半导体激光器面临的主要困难,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔 高效大功率半导体激光器机理.该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏 、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题.采用低压金属有机化合物气相淀积 方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/InGaAs 应变量子阱有源区和新型多有 源区半导体激光器外延结构,并制备了高性能大功率980nm激光器件.三有源区激光器外微分 量子效率达2.2,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达2.5W.
关键词:
半导体激光器
大功率
金属有机化合物气相沉积 相似文献
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Dan-Bo Zhang 《中国物理 B》2022,31(12):120301-120301
The original variational quantum eigensolver (VQE) typically minimizes energy with hybrid quantum-classical optimization that aims to find the ground state. Here, we propose a VQE based on minimizing energy variance and call it the variance-VQE, which treats the ground state and excited states on the same footing, since an arbitrary eigenstate for a Hamiltonian should have zero energy variance. We demonstrate the properties of the variance-VQE for solving a set of excited states in quantum chemistry problems. Remarkably, we show that optimization of a combination of energy and variance may be more efficient to find low-energy excited states than those of minimizing energy or variance alone. We further reveal that the optimization can be boosted with stochastic gradient descent by Hamiltonian sampling, which uses only a few terms of the Hamiltonian and thus significantly reduces the quantum resource for evaluating variance and its gradients. 相似文献
3.
用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs双量子阱激光器结构样品,并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究.用光荧光技术测量退火样品的n=1量子阱能级跃迁峰值位置,结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移,蓝移量随温度的提高而增大.对退火过程中GaAs/AlGaAs量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析,并与实验结果相比较,获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能.950℃,30s退火条件下,铝原子的扩散系数为6.6×10-16 相似文献
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5.
采用全量子理论,建立了皮秒级光参量发生放大器中自发参量辐射产生参量光线宽的数学方程,并对影响参量光线宽的种种物理机制进行计算机模拟,分析和比较。其结果是:在远离简并点时,所产生的参量光线宽很小,而在简并点附近,参一光线宽急剧增大;且泵浦光的发散角和在偏轴方向的泵浦光对参量光线宽的影响较大。 相似文献
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