用AFM和XPS研究LiBq4/ITO的表面和界面

用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4／ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现Cls谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现象;对Bls谱的分析发现,界面处B原子的相对值远低于理论值,说明界面处存在B原子离解,导致了LiBq4分子的更高氧化态;从Cls谱发现,表面污染C的比例很高,而界面处大为下降,原因是表面吸附了气体,从而证实了LiBq4表面存在大量空隙和裂缝。定量研究发现,界面处存在N原子与In、Sn原子的相互作用,这将影响LiBq4的发光颜色。     

PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析

利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析. 结果表明, 苝环上的C原子的结合能为284.6 eV, 酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV, 并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象, 界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失, 且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV, C-O-C键中的O原子的结合能为533.4 eV.     

原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO的表面分析

利用原子力显微镜对8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)/铟锡氧化物和8-羟基喹啉硼化锂/酞菁铜(CuPc)/铟锡氧化物表面分别进行了扫描,显示了LiBq4在不同衬底上的形貌差异,并进一步利用样品表面的x射线光电子能谱图验证了这一差异.实验表明,CuPc层的加入改善了LiBq4的成膜质量,并将这种改善归因于分子构型与电子亲和势的不同.     

原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO的表面分析

利用原子力显微镜对8-羟基喹啉硼化锂(LiBq₄)/铟锡氧化物和8-羟基喹啉硼化锂/酞菁铜(CuPc)/铟锡氧化物表面分别进行了扫描，显示了LiBq₄在不同衬底上的形貌差异，并进一步利用样品表面的x射线光电子能谱图验证了这一差异.实验表明，CuPc层的加入改善了LiBq₄的成膜质量，并将这种改善归因于分子构型与电子亲和势的不同. 关键词： 原子力显微镜 x射线光电子能谱 电子亲和势