钡在加压条件下的固体电子结构与超导电性

用自洽半相对论 LMTO 方法计算了钡在100千巴以下几个压强点的固体电子结构,利用 GG 公式计算了电声耦合常数中的参量,并结合钡的熔点数据计算其超导转变温度,对钡在加压条件下超导电性迅速改善的原因进行了探讨.     

Ni掺杂MgF2电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论(DFT) 的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了过渡金属Ni不同比例（16.67%,12.5%,8.33%,6.25%）掺杂MgF2晶体的几何结构、电子结构和光学性质。通过对比发现,由于Ni原子的掺入, 体系的禁带宽度减小且能带中出现中间杂质带。另外, 介电函数虚部以及吸收光谱图中均出现双峰结构,结合前人的计算给出了详细的物理机制。上述现象,揭示了Ni掺杂MgF2 体系在光学元器件方面的潜在应用。     

铈的电子结构与超导电性

本文用自洽LMTO-ASA能带方法计算了α'-Ce的固体电子结构和超导转变温度(T_c)。所得T_c理论值与实验值基本相符。这说明α'-Ce的超导电性仍为BCS电声机制。另外,对γ-Ce及α-Ce,由实验T_c值及能带计算结果估计了自旋涨落参量λ_(ee),分别约为0.4及0.1。     

钇在加压下固体电子结构的变化及其超导电性

用自洽 LMTO 方法计算了常压和加压状况下钇的固体电子结构,用 GG 公式计算了在不同压强点钇的电声耦合系数和平均电声矩阵元.结果表明,随着压强的增加,能带电子占据数发生变化,s 分波和 P 分波电荷逐步向 d 分波和 f 分波电荷转移;电声矩阵元中 p(?)d 和 d(?)f 散射项的贡献显著增大,从而导致了 T_c 的迅速升高.     

高压下钪的电子结构与超导电性

本文用自洽半相对论 LMTO 能带方法计算了常压、210kbar 和300kbar 下 Sc 的固体电子结构及超导转变温度.结果表明平均电声矩阵元随压强变化是导致 T_c 增长的主要原因.