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1.
运用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,研究电极区N掺杂对扶手椅型石墨烯纳米带电子输运特性的影响.结果表明,与本征扶手椅型石墨烯纳米带电流-电压曲线相比,宽度为7的石墨烯纳米带电流-电压曲线表现出明显的不对称性,其中心N掺杂表现强烈的整流特性,整流系数达到102数量级,且将N原子从电极区中心位置移动到边缘,整流特性减弱.研究结果表明宽度为7的扶手椅型石墨烯纳米带出现强整流现象的原因主要是负向偏压下能量窗内没有透射峰引起的,该研究结果对将来石墨烯整流器件的设计具有重要的意义.  相似文献   
2.
用VAR模型的预测误差方差分解方法和格兰杰因果检验方法研究中国银行间和交易所国债市场信息溢出效应的方向、水平和动态趋势及其原因。研究表明:银行间和交易所国债市场之间收益与波动溢出效应均呈现上升动态特征;在收益溢出效应中银行间是国债市场信息传导者,在波动溢出效应中交易所是国债市场信息传导者;利率变化和市场流动性显著负向影响收益总溢出和波动总溢出。  相似文献   
3.
近年来, 越来越多的人意识到随机互补问题在经济管理中具有十分重要的作用。有学者已将随机互补问题由矩阵推广到张量, 并提出了张量随机互补问题。本文通过引入一类光滑函数, 提出了求解张量随机互补问题的一种光滑牛顿算法, 并证明了算法的全局和局部收敛性, 最后通过数值实验验证了算法的有效性。  相似文献   
4.
为尽早预防疾病, 开展健康管理, 改善教职工的健康现状, 对2018—2021年期间宁波大学教职工的健康体检资料采用SPSS 23.0软件进行统计分析. 结果表明 2018—2021年检出前10种疾病略有不同, 4年间检出率均位于前10位的疾病有甲状腺结节、肺结节、血脂异常、高尿酸血症、心电图异常、乳腺异常. 其中每年血脂异常、肺结节及高尿酸血症检出率男性高于女性(P< 0.05), 甲状腺结节的检出率则是女性高于男性(P<0.05); 甲状腺结节、肺结节和高尿酸血症的检出率呈现逐年升高趋势(P<0.05); 每年检出的疾病随年龄变化的态势各不相同, 其中血脂异常、甲状腺结节、肺结节、心电图异常、前列腺异常的检出率随着年龄的增长而增加(P<0.05). 表明慢性非传染性疾病已成为影响教职工健康的首要危险因素. 因此, 应倡导科学的生活方式, 积极进行健康体检, 建立健康管理档案, 并进一步强化健康管理理念和教职工的健康意识, 尽可能改善教职工的健康状况.  相似文献   
5.
Zhengran Wang 《中国物理 B》2022,31(4):48202-048202
Excited-state double proton transfer (ESDPT) in the 1-[(2-hydroxy-3-methoxy-benzylidene)-hydrazonomethyl]-naphthalen-2-ol (HYDRAVH2) ligand was studied by the density functional theory and time-dependent density functional theory method. The analysis of frontier molecular orbitals, infrared spectra, and non-covalent interactions have cross-validated that the asymmetric structure has an influence on the proton transfer, which makes the proton transfer ability of the two hydrogen protons different. The potential energy surfaces in both S0 and S1 states were scanned with varying O-H bond lengths. The results of potential energy surface analysis adequately proved that the HYDRAVH2 can undergo the ESDPT process in the S1 state and the double proton transfer process is a stepwise proton transfer mechanism. Our work can pave the way towards the design and synthesis of new molecules.  相似文献   
6.
科学的游客满意度评价有助于生态旅游的可持续发展。随着Web 2.0技术的发展,在线旅游评论已成为游客满意度研究的重要数据来源。本文以扎龙国家级自然保护区为例,基于在线旅游评论数据和网络文本挖掘技术,构建游客满意度评价指标体系和评价模型,定量评价游客的生态旅游满意度。结果表明:游客总体满意度为0.614,达到基本满意水平。研究不仅为准确评价生态旅游目的地的游客满意度提供新视角,也为相关生态旅游政策的制定提供参考。  相似文献   
7.
介绍了强流重离子加速器装置HIAF(High Intensity heavy-ion Accelerator Facility)项目增强器BRing(Booster Ring)快脉冲二极磁铁的性能指标、测量要求和测量方法,描述了快脉冲二极磁铁稳态磁场测量系统及动态磁场测量系统的构成。在稳态磁场测量中,为提高积分磁场测量精度和测量效率,长线圈测量系统采用了on fly技术;在动态磁场测量中,研制了用于磁场延迟及磁场畸变测量的矩阵线圈。通过样机磁铁的测量,完成了测量系统的性能指标验证和磁铁的稳态磁场测量。实测结果表明,样机磁铁的设计和制造均达到了预期指标,并依据测量数据完成了磁铁的二次削斜。  相似文献   
8.
针对氮化碳(C3N4)光生电荷易复合、光催化性能有限的不足,我们制备N和F共掺杂C3N4(NF-C3N4),以提升其光催化性能。利用NH4F在高温下原位分解产生的HF和NH3,对C3N4刻蚀的同时实现N和F双元素共掺杂。以氯化铵(NH4Cl)为对照,制备N掺杂C3N4(N-C3N4)。利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、比表面积测试和电化学表征手段研究N、F共掺杂对C3N4形貌、成分、结构和物化性质等的影响规律。相比于C3N4和N-C3N4,NF-C3N4呈多孔状,比表面积增大,光生电荷的生成、分离和转移均被促进,NF-C3N4光催化还原Cr (Ⅵ)的速率是C3N4的2.6倍、N-C3N4的1.7倍。进一步考察了不同前驱体(尿素、双氰胺和三聚氰胺)对制备C3N4的影响,发现以尿素为前驱体的C3N4与NH4F的质量比为3∶2时,NF-C3N4呈现最佳的光催化性能。催化剂用量、光照强度、空穴捕获剂浓度的增加和pH的降低均能提高Cr (Ⅵ)还原速率。在NF-C3N4浓度为0.1 g·L-1、pH=3、cEDTA-2Na=2 mmol·L-1、40 min可见光照射后,Cr (Ⅵ)去除率达到90%。5次循环实验表明,优化制备的NF-C3N4光催化还原Cr (Ⅵ)的性能保持良好,具有较高的稳定性。  相似文献   
9.
An atomic-level controlled etching(ACE)technology is invstigated for the fabrication of recessed gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)with high power added efficiency.We compare the recessed gate HEMTs with conventional etching(CE)based chlorine,Cl2-only ACE and BCl3/Cl2ACE,respectively.The mixed radicals of BCl3/Cl2were used as the active reactants in the step of chemical modification.For ensuring precise and controllable etching depth and low etching damage,the kinetic energy of argon ions was accurately controlled.These argon ions were used precisely to remove the chemical modified surface atomic layer.Compared to the HEMTs with CE,the characteristics of devices fabricated by ACE are significantly improved,which benefits from significant reduction of etching damage.For BCl3/Cl2ACE recessed HEMTs,the load pull test at 17 GHz shows a high power added efficiency(PAE)of 59.8%with an output power density of 1.6 W/mm at Vd=10 V,and a peak PAE of 44.8%with an output power density of 3.2 W/mm at Vd=20 V in a continuous-wave mode.  相似文献   
10.
The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.  相似文献   
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