SiC纳米棒的紫外发光研究

采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378 nm（33?eV） 强紫外发射. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错. 利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光. 关键词： 碳化硅 纳米棒 光致发光     

环境友好型无铅卤化物钙钛矿太阳能电池研究进展

ABX_3(A为甲胺、甲脒等有机离子或铯离子,B为铅或锡等金属离子,X为溴、碘等卤化物离子)卤化物钙钛矿材料具有优异的光电特性,是当前太阳能电池研究的前沿和热点之一。然而,这类太阳能电池普遍面临含毒性元素铅和稳定性差等问题,极大地阻碍了钙钛矿太阳能电池商业化应用进程。因此,发展新型高效无铅钙钛矿太阳能电池势在必行。本文评述了环境友好型无铅卤化物钙钛矿太阳能电池的最新研究动态和进展,探讨了该类太阳能电池的制备、性能及其稳定性等问题,展望了其未来发展趋势。     

单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究

采用有机前驱体热解法制备了Al掺杂的单晶Si3N4纳米带,并实现了单晶纳米带Al掺杂浓度的调控。采用SEM、XRD、TEM和HRTEM等对所合成的Al掺杂单晶Si3N4纳米带进行了系统分析和表征。纳米带平均厚度约为几十纳米,平均宽度为几百纳米,具有完整的晶体结构,生长方向为[011],固-液-气-固(SLGS)生长机理。对Al掺杂的纳米带的光学性能进行了初步检测。结果表明:Al掺杂对单晶Si3N4纳米带的光学性能具有显著的影响,通过调节Al掺杂浓度,可以成功实现对纳米带光学性能的调控。