肾上腺素电氧化过程的快速扫描循环伏安研究

以快速循环伏安法为主要手段,研究了肾上腺素电化学氧化反应机理.肾上腺素在1 m ol•dm－3 H2SO4中的电化学氧化反应,具有扩散控制的基本特征,并伴随着电活性质粒的 弱吸附现象.在快速电势扫描条件下,肾上腺素电氧化过程遵从EC反应机理.当肾上腺素浓度低于1.00×10－3 mol•dm－3时,吸附现象的特征趋于显现出来;在快速电势扫描速率下,电活性质粒吸附的特征更加明显.结合表面伏安法分析,估算了肾上腺素电氧化过程的传递系数α=0.264.电化学反应速率常数ks=31.81 s－1.     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

检测痕量Hg~(2+)的DNA电化学生物传感器

通过自组装方法将修饰有二茂铁基团的富T序列DNA分子(DNA-Fc)固定在金电极表面,得到了一种基于DNA修饰电极的电化学汞离子(Hg2+)传感器.当溶液中有Hg2+存在时,Hg2+可与修饰电极上DNA的T碱基发生较强的特异结合,形成T-Hg2+-T发卡结构,使DNA分子构象发生改变,其末端具有电化学活性的二茂铁基团远离电极表面,电化学响应随之发生变化.示差脉冲伏安法(DPV)结果显示:DNA末端二茂铁基团的还原峰在0.26V(vs饱和甘汞电极(SCE))附近,峰电流随溶液中Hg2+浓度的增加而降低;Hg2+浓度范围在0.1nmol·L-1-1μmol·L-1时,电流相对变化率与Hg2+浓度的对数呈现良好的线性关系.该修饰电极对Hg2+的检测限为0.1nmol·L-1,可作为痕量Hg2+检测的电化学生物传感器.干扰实验也表明,该传感器对Hg2+具有良好的特异性与灵敏度.     

细胞色素C551在ITO电极上的直接电化学

在不加任何电子转移促进剂的条件下,用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)观察到细胞色素C551在ITO导电玻璃上的直接电化学行为.结果显示电极反应过程为准可逆性质,计算得到细胞色素C551的扩散系数、式电位和异相电子转移标准速率常数,并对其在ITO导电玻璃电极上的电子转移机制进行了初步分析.     

寡聚酰胺为探针的电化学DNA生物传感器

DNA分子中的碱基对可以长程传递电荷, DNA分子中的碱基π堆积结构为电荷的长程传递提供了良好的通道. 电荷在DNA分子中的传递受碱基序列的影响, 利用这种性质可以构建DNA碱基错配检测的电化学传感器. 寡聚酰胺能和DNA以小沟绑定方式高亲和力地结合, 并且具有序列识别功能, 本文以带有硝基官能团的寡聚酰胺分子为电化学探针, 设计了电化学DNA生物传感器. 结果显示, 寡聚酰胺与DNA修饰电极作用后, 电化学响应显著增强, 并且可以作为检测DNA碱基错配的电化学探针分子.     

Quantum confinement effect in electroluminescent porous silicon

Ｖｉｓｉｂｌｅｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ(ＰＬ)ｏｎｈｉｇｈｌｙｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｌａｙｅｒｓｂｙｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｌｙｅｔｃｈｉｎｇｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｗａｓｒｅｐｏｒｔｅｄｉｎ1990[1].Ｔｈｉｓｓｕｒｐｒｉｓｉｎｇｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｙｏｆｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ(ＰＳ)ｉｓｅｘｐｌａｉｎｅｄａｓｆｏｌｌｏｗｓ:ｔｈｅｐｏｒｏｕｓｌａｙｅｒｉｓｃｏｍｐｏｓｅｄｏｆｑｕａｎｔｕｍｓｉｚｅｅｎｔｉｔｉｅｓ,ｗｈｅｒｅａｑｕａｎｔｕｍｃｏｎｆｉｎ…     

离子强度对DNA媒介电荷转移的影响——基于Debye-Hückel 理论的实验结果分析

用电化学的方法研究了溶液离子强度对DNA媒介电荷转移的影响, 观察到[Ru(NH₃)₆]³⁺的还原峰电势随支持电解质的浓度增加向负方向移动. 分析发现微分脉冲伏安法(DPV)的峰电势与溶液离子强度间在一定范围内存在线性关系, 以式电势(E⁰')作为“桥梁”, 用Debye-Hückel理论给予了解释. 在高离子强度下, 峰电势对线性关系的偏移是由于超过了Debye-Hückel理论的适用范围, 而无强电解质存在时, DNA自身堆积的强负电荷对DNA媒介电荷转移起了推动作用.     

Pt纳米线阵列的氧还原催化性能

采用阳极氧化铝(AAO)模板法电化学沉积制备了Pt纳米线阵列(Pt NWs)氧还原催化剂, 通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和电化学测试对Pt纳米线阵列催化剂的形貌和电催化性能进行了表征. 循环伏安法(CV)研究表明Pt纳米线阵列催化剂的电化学活性面积大于其几何面积; 旋转圆盘电极(RDE)测试研究发现, 制备的Pt纳米线阵列催化剂的氧还原反应(ORR)曲线的半波电势相对Pt/C的有正移, 并且Pt纳米线阵列催化剂的极限扩散电流比Pt/C大.     

N-甲基咪唑衍生物的原位紫外光谱电化学行为

用循环伏安法(CV)测定了寡聚酰胺单体N-甲基咪唑衍生物的电化学行为, 探讨用原位紫外光谱法对电化学反应过程进行检测, 观察到随极化电势的增加在紫外光谱中出现新的吸收峰, 分析了N-甲基咪唑衍生物的还原历程.     

化学氧化对多孔硅表面态和光致发光的影响

自1990年英国科学家Canham发现室温下多孔老（poroussilicon缩写为PS）的可见光区光致发光以来，在世界范围内迅速形成了一股强大的多孔硅研究热．硅是间接禁带半导体．禁带宽度为1．11eV，不可能在可见区发光．对于多孔硅在可见区的强烈荧光发射及其形成，Canham和Lehamm等分别建议可用量子线的尺寸限制效应未解释[1,2]．但Tsai和Hance等用FTIR研究经过后处理的多孔老样品[3]，认为多孔硅的发光与表面的硅氢化物相关，并提出硅的二氢化物SiH2的浓度与荧光强度相关．关于多孔硅的发光机制，还有非晶态发光[4]等说法．因止匕多孔硅的发…