一维光子晶体的有效折射率及色散特性

对有限长度一维光子晶体引入了复有效折射率的概念.它的实部描述了一维光子晶体的色散特性, 虚部反映了光在光子禁带被损耗衰减而消失的特征.从具体计算λ/4 波片堆组成的一维光子晶体的复有效折射率的结果可以看到,它的实部受到光子带结构的调制,在光子禁带及透射带中的一部分出现反常色散现象.在很大的频率范围内,有效折射率变得小于1.     

丙氨酸咪唑钐的三维荧光激发和发射光谱

测量了新制丙氨酸咪唑钐水溶液的三维荧光激发和发射光谱,分析了在不同波长激发光作用下的荧光特征,与配体咪唑、α-丙氨酸及氯化钐的荧光谱进行了比较,讨论了模型化合物上转换荧光中的双光子和多光子加合现象并发现在10^-2-10^-4 mol/L 浓度范围内荧光强度与溶液浓度呈正相关.     

甲基丙烯酸丙烯酯制备及共聚合

聚甲基丙烯酸甲酯具有无色透明,机械强度好的优点,工业上大量采用它,尤其航空工业的发展需要的数量大大地增加了,但它只能耐80—90℃(马尔丁斯法)是它的缺点。我们用甲基丙烯酸丙烯酯与其共聚,企图提高我厂出品的聚甲墓丙烯酸甲酯的软化温度。 苏联指出:甲基丙烯酸丙烯酯可以提高聚甲基丙烯酸甲酯的耐温度。我们采用他的方法,直接用甲基丙烯酸与丙烯醇酯化得到甲基丙烯酸丙烯酯。如下式表示:     

一维光子晶体中的电磁模密度

阐述了电磁模密度(EDOM)的概念及其在描述光辐射中的重要作用.推导了有限大小的均匀介质和一维光子晶体EDOM的解析表达式,计算出由λ₀/4薄片构成的一维光子晶体的EDOM,明显看出一维光子晶体中EDOM受光子带结构调制的现象;分析了在带边缘处EDOM有极大增强的现象,其值近似正比于周期数N的平方和两种介质折射率差的平方,并用数值计算结果证实了这一特点.     

甲基丙烯酸甲硫醇酯及聚合物

甲基丙烯酸甲硫醇酯是一种丙烯酸酯类新的单体,最初由布劳德(Braude)制备,α,α′-偶氮二异丁腈当引发剂,甲基丙烯酸甲疏醇酯可聚合成硬的,透明的固体聚合物。該单体也能与甲基丙烯酸甲酯共聚。聚甲基丙烯酸甲硫醇酯詳細的物理性能尚未有文献記載,作者測定了主要的物理常数,提出了一个本体聚合方法。 (一) 原料的制备 1.甲基丙烯酰氯:以稍加改进的勒貝尔(Rehberg)法制备,三氯化磷的量比文献多。在二升三口烧瓶中,安裝温度計、回流冷凝管、分液漏斗,所用仪器必需絕对干燥。先加入甲基丙烯酸900克(95％),由分液漏斗加入696克三氯化磷(工业),加热沸腾,在60—70℃水浴中,維持15分钟,放在室温过夜,分出上层     

氯化苯并咪唑镧的荧光光谱

对新合成的化合物氯化苯并咪唑镧HCl₄·[C₇H₆N₂(H₂O)₂]₂La及其LaCl₃·5H₂O的水溶液进行了三维荧光光谱测定,讨论了HCl₄·[C₇H₆N₂(H₂O)₂]₂La在不同波长的光激发下的荧光特性,荧光强度与浓度的关系及标题化合物的上转换荧光,即在540nm绿光的激发下可以获得紫外光(290nm)和近紫外光(360nm).     

高锰钢微合金化表层组织的转变及其对耐磨性的影响

本文利用X射线和透射电子显微镜考察了微合金化高锰钢在辊轧、静压和冲击磨粒磨损条件下表层组织的转变,发现高锰钢在加Nb并吹N_2以后形变时容易发生γ→α-M转变,而普通高锰钢和吹N_2高锰钢在相同条件下都只形成了大量的形变孪晶。冲击磨粒磨损试验表明,加Nb和/或吹N_2高锰钢的耐磨性比普通高锰钢的高33％—97％。文章指出,往高锰钢中加入适量的Nb,可以引起奥氏体在磨损过程中转变为形变诱发马氏体,这是强化奥氏体基体,提高高锰钢之加工硬化速率和耐磨性的有效途径之一。     

商用氧化铟锡玻璃:室温高效还原氮气的催化剂电极

NH₃作为一种必需的活化氮源,在化肥、染料、爆炸物和药物等的制造中起到了关键作用;同时,它也是一种在交通运输领域具有吸引力的无碳能源载体.工业上生产氨气使用典型的哈伯-博世工艺,但是此工艺涉及大量的能源消耗和碳排放,给环境带来巨大的压力.电化学氮还原反应(NRR)能够在温和环境下实现环境友好、节能的氨合成,但此过程需要高效的电催化剂.高效的NRR催化剂(Au、Ag、Pd和Ru)储量少、成本高,阻碍了它的实际应用.因此,设计和开发由地球上丰富的元素制成的具有成本效益的催化剂来代替NRR催化剂意义重大.本课题组最近的研究(Chem.Commun.,2018,54,12966-12969)表明,SnO2在环境条件下具有电催化氧化活性,但其低电导率限制了其性能,可通过氟掺杂或石墨烯杂化予以解决.氧化铟锡(ITO)作为一种含SnO2的材料,导电性好,可望用于NRR的高效电催化剂中.因此,本文采用商用氧化铟锡玻璃(ITO/G)作为催化剂电极,在温和环境条件下进行N₂-NH₃的电化学转化,并呈现出对生成氨气有较高的选择性.XRD和XPS结果表示,商用ITO/G中存在In,Sn和O元素;SEM显示ITO/G具有清晰的纳米薄膜结构和267 nm的截面厚度;相应的EDX谱图显示In,Sn和O元素分布均匀,且原子比为32.11:3.16:64.74.采用紫外-可见光谱及线性扫描伏安和恒电位极化等电化学测试研究了商用ITO/G的NRR活性.在0.5 M LiClO4电解液中测试时,于-0.40 V vs.RHE条件下,ITO/G的NH₃产率为1.06×10^-10 mol s^-1 cm^-2,其法拉第效率为6.17%.15N同位素标记实验证实了所测到的NH₃是由ITO/G催化的N₂电还原反应生成的.利用第一性原理计算探讨了在ITO催化剂上可能的NRR反应机理,确定了ITO催化剂的NRR活性位点、N₂化学吸附活性位点以及NRR的反应途径.此外,24 h恒电位(-0.40 V vs.RHE)极化测试和2 h恒电位极化(-0.40 V vs.RHE)测试后的XRD和SEM结果表明,该催化剂具有较高的电化学稳定性.综上所述,商用ITO/G用作在环境条件下将N₂转化为NH₃的有效催化剂电极,将为开发人工固定氮气的ITO基纳米结构提供一种研究途径.