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报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α PSC以及原始SiC的光声光谱(PAS).从光声Rosenwaig Gersho理论出发,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙,并深入分析了能隙的变化原因,同时,对吸收边附近的吸收情况进行了讨论. 关键词: 光声光谱 多孔碳化硅 能隙  相似文献   
2.
p型α-多孔SiC的光致发光光谱研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
杜英磊  李纪焕  吴柏枚  金英猷 《物理学报》1998,47(10):1747-1753
用UV光照射和不用UV条件下形成的p型α-PSC的PL光谱,2.35eV,2.50eV和2.70eV及3.4eV附近的发射峰已被观察到.研究了不同的制备条件下形成的p型α-PSC的PL谱的稳定性和不同的能量的光激发引起PL谱的差别.结果表明,在电化学腐蚀过程中制备条件对PSC的PL谱有很大的影响,前者在低能区有较强的光发射而后者则在高能区有较强的光发射;前者的光谱稳定性较好而后者发射光谱强度则随时间的增加而减少.对产生这些差别的原因进行了深入讨论. 关键词:  相似文献   
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