不同偏振态光镊三维光阱刚度的比较研究

为了研究激光偏振态对光阱刚度的影响,本文比较了四种不同偏振态光场(方位角偏振光、径向偏振光、线偏振光、圆偏振光)捕获不同尺寸SiO_2微粒的三维光阱刚度.研究结果表明:当SiO_2微粒的尺寸和激光波长相近时,圆偏振光和线偏振光的三维光阱刚度大于径向偏振光和方位角偏振光的三维光阱刚度;而随着SiO_2微粒尺寸的增加,方位角偏振光和径向偏振光的三维光阱刚度大于圆偏振光和线偏振光的三维光阱刚度.此外,实验也表明:使用浸油物镜捕获微粒时,物镜匹配油的折射率和水的折射率不一致引起的球差,会降低系统对物镜数值孔径的利用.通过这些研究工作,可以为不同偏振态光场的测力研究提供一定的指导和参考.     

有散射区和Andreev反射面的单通道导体的导纳

采用分立势模型和有效散射矩阵方法, 通过引入正常导体-超导体复合介观系统的局部态密度以及发射率和入射率，计算了有散射区和Andreev反射面的单通道导体的导纳.     

单层巴基葱的电子结构与几何结构的关系

通过紧束缚近似的计算方法,研究单层巴基葱的电子结构。发展了一种表示巴基葱结构的新方案,以表示所有的正二十面体点群结构的巴基葱。根据它们的几何结构因子,巴基葱的电子结构可以分为两类:一类是准金属球,另一类是宽带隙半导体球。文中还讨论了单层巴基葱电子与几何结构关系的稳定性,指出单层巴基葱的几何结构的方式是决定其电子结构的主要因素。     

电声耦合对单层Bucky葱的影响

研究单层Bucky葱中电子与晶格振动耦合对其结构和电子结构的影响,发现单层Bucky葱上普遍地存在着结构畸变、电子结构的畸变和对称性的变化.利用Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型研究单层Bucky葱上的Peierls不稳定性,得到主要结论如下:(1)金属型的单层Bucky葱上存在结构和电子结构畸变,对称性降低并出现能隙,使之转变成窄带隙型半导体;(2)在宽带隙型的单层Bucky葱上也存在结构和电子结构的畸变,但体系的对称性没有改变,电子结构特征也没有改变;(3)这些畸变量在不同类型的Bucky葱上表现出不同的特征,但都随着单层Bucky葱体系的增大而逐渐减小;(4)宽带隙半导体类有较高的热力学和动力学的稳定性;(5)Peierls不稳定性导致的结构和电子结构的畸变不改变原来定性的结论.     

基于射频识别技术(RFID)的汽车防盗系统开发设计

作为热门的电子产品之一,射频识别装置受到市场的追捧,射频电子技术的市场潜力非常巨大,本文将射频识别技术(Radio Frequency Identification Technology)应用在汽车防盗系统中,本文提出的射频识别装置有两部分组成,分别是汽车启动顶部的应答器和内部的阅读器构成,对整个装置的硬件和软件系统进行设计开发,首先搭建硬件系统的整体框架进行,重点对射频卡读写电路的进行设计,包含射频电源和外围元件的选择以及射频电路的设计,软件系统设计方面,重点研究了读卡和写卡软件设计,给出的相应的时序图和程序流程图,达到了射频程序可靠读写的目的。本文给出的装置避免了市场上使用电池遥控装置,有效的实现汽车防盗的目的。     

轴向多光阱微粒捕获与实时直接观测技术

传统的光镊技术使用单个物镜同时进行光学捕获与显微成像,使得捕获与成像区域被限制在物镜焦平面附近,无法同时观察到沿光轴方向(即Z向)捕获的多个微粒.本文提出一种轴平面(XZ平面)GerchbergSaxton迭代算法来产生沿轴向分布的多光阱阵列,将轴平面成像技术与光镊结合,实现了沿轴向对二氧化硅微球的多光阱同时捕获与实时观测.通过视频分析法测量了多个二氧化硅微球在轴向光镊阵列中的布朗运动,并标定了光阱刚度.本文提出的轴向多光阱微粒捕获与实时观测技术为光学微操纵提供了一个新的观测视角和操纵方法,为生物医学、物理学等相关领域研究提供了一种新的技术手段.     

Admittance of a one-channel conductor containing a scattering region and Andreev reflection in an N-S mesoscopic system

We introduce local density of states in normal-conductor-superconductor compound systems and injectivity, emissivity to describe the transmission properties in these systems. Then we study the admittance of a one-channel conductor which contains a scattering region and Andreev reflection with the discrete potential model and effective scattering approach.