排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
通过自编软件建立了Fe-Cr-Al合金表面、氧化膜/基体界面模型,采用递归法计算了合金元素在Fe-Cr-Al合金表面、氧化膜/基体界面的环境敏感镶嵌能、亲和能、结合能、态密度等电子结构参数.从电子层次系统研究了Fe-Cr-Al合金氧化膜的形成机理、稀土元素和杂质硫对氧化膜形成过程及黏附性的影响机理.研究表明Fe-Cr-Al合金中Al的偏聚驱动力远大于Y,Cr.氧化初期氧从合金表面向合金内部扩散,合金内部Al向合金表面扩散,使合金形成富铝、氧表面层;氧与Al间的亲和力较大(亲和能低),氧原子容易与Al结合生成Al2O3保护膜;合金中加入Y后,Y在合金表面偏聚,抑制Al向合金表面扩散,氧化膜的横向生长得到有效控制,从而避免氧化膜皱褶形貌的发生,提高氧化膜的黏附性;合金内部的S通过扩散汇集在基体/氧化膜界面,S使界面区原子的总能增高,总态密度降低,减小了界面的稳定性,进而削弱氧化膜与合金基体的结合力.
关键词:
电子结构
高温氧化
Fe-Cr-Al合金 相似文献
2.
通过晶胞平移获得Al-Zn-Mg-Cu合金中α-Al,Al3Sc及η相原子集团模型,采用自编软件建立α-Al/液态Al界面、α-Al/Al3Sc界面原子团模型.用递归法计算合金中各组织的态密度、结合能、费米能级,合金元素Sc与空位相互作用能等电子参数.依据电子参数解释合金晶粒细化、腐蚀的物理本质.研究表明: Al3Sc从液态金属析出时释放的能量比α-Al从液态金属析出时所释放的能量少,可先于α-Al从液态金属中析出;且α-Al
关键词:
电子结构
腐蚀
超高强Al合金 相似文献
3.
用基于密度泛函理论的赝势平面波第一原理方法研究金属元素替代对MgH2释氢的影响机理.结果表明:带隙的宽窄和带隙中是否存在杂质能级是影响MgH2储氢材料释氢性能的关键因素,Nb,Fe,Ti,V在能隙近中央引入杂质能级,使得MgH2的H-Mg键键强减弱,有利于放氢.La在导带底引入杂质能级,降低带隙宽度,晶体中结合最弱的键断裂变得容易,也有利于放氢.Nb,Fe,Ti,V,La与近邻氢原子间形成共价键,形成金属氢化物,对释氢起到催化作用.La与H间的共价作用较弱,其金属氢化物的催化作用相对较弱.掺杂元素使Mg与周围H的静电作用力不对称,与Mg作用力小的H容易释放出来,起到提高MgH2释氢的作用.比较发现V,Fe明显降低Mg-H间的离子键强度. 相似文献
4.
利用大角重位点阵模型建立了AZ91镁合金α相[0001]对称倾斜晶界原子结构模型,应用实空间的连分数方法计算了Mg合金的总结构能,合金元素引起的环境敏感镶嵌能及原子间相互作用能,讨论了主要合金元素Al及Bi,Sb在AZ91中的合金化行为.计算结果表明,Al,Bi,Sb固溶于α相内或晶界区使总结构能都降低,起到固溶强化作用;合金元素在AZ91α相内趋于均匀分布,在晶界区易占位于三角椎上部.AZ91镁合金中加入Bi或Sb时,Bi或Sb比Al容易偏聚于晶界,从而抑制了Al在晶界的偏聚,促进基体中连续的Mg17Al12相的析出,提高AZ91合金室温性能; AZ91合金中(α相内和晶界区)主要合金元素Al和微加元素Bi,Sb都能够形成有序相Mg17Al12,Mg3Bi2或Mg3Sb2,且在晶界区形成的量大.Bi,Sb加入AZ91合金中,由于Bi,Sb抑制Al在晶界的偏聚,晶界区主要析出相为Mg3Bi2或Mg3Sb2,提高镁合金高温性能.
关键词:
电子理论
合金化
晶界偏聚
镁合组织与性能 相似文献
5.
对2009年辽宁、广西高考理综试卷第24题,从多个角度、多个维度去思考解决给出15种解题方法,以期锻炼学生的的综合思维能力,提高学生解决物理问题的能力. 相似文献
6.
建立了复合材料中(镀镍)碳纳米管/镁界面原子集团模型,采用递归法计算了界面电子结构.计算表明:镀镍碳纳米管与镁形成的界面结构能、原子结合能较低,镍能够加大纳米管/基体界面结构的稳定性,促进界面结合强度的提高;在界面镍镀层中镁原子的相互作用能为正,说明镍镀层中的镁原子相互排斥,不能形成原子团簇,具有有序化倾向,形成起到强化界面作用的有序相;碳、镁原子在未镀镍碳纳米管与镁的界面格位能较高,降低界面稳定性,因而界面比较脆弱.碳纳米管镀镍后,镍使界面处镁、碳的格位能大幅降低,界面稳定性增强.
关键词:
复合材料
纳米管
电子结构
界面 相似文献
1