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在千焦拍瓦高功率放大系统设计中,激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中,需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜,分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差,确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明:刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35 nm;刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62 nm。此外,还从使用需要和加工难易的角度,对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言,优选反应离子束刻蚀方案,且采用刻蚀并残留低折射率介质的方案更容易实现。 相似文献
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简要描述在神光Ⅱ装置上进行的部分物理实验,为神光Ⅱ激光装置提供光学性能指标。神光Ⅱ激光装置已经能在三倍频、外转换效率高于60%的条件下常规输出三倍频能量。穿孔实验表明,蓝光(3w0)的光束质量,特别是远场旁瓣分布质量,甚至于要好于红光(1w0光)。用100ps脉冲宽度的红光输出打爆推内爆的氘氚球靶,获得单发最高中子产额4×109个。基频线聚焦打靶,获得类Ni银X光激光饱和输出,并成功应用于激光等离子体密度测量,观测到莫尔条纹移动。 相似文献
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在“神光-Ⅱ”装置上进行先进高能多功能激光束系统(简称第九路)研制工程中,由于在原ICF靶室上又增加了输入“汤姆逊探针光”和“X光背光照明探针光”的锥形真空套筒及其终端光学元件,导致原有靶室结构的变化,可能会引入新的不稳定因素。通过有限元分析方法,建立有限元分析模型,进行优化设计。通过位移传感器测量结果可知,第九路终端光学元件径向窜动所引起的打靶误差最大值为2.110 μm,小于“神光-Ⅱ”靶场终端光学系统的最大允许误差值7.785 μm。 相似文献
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针对“神光-Ⅱ”装置第九路系统主激光瞄准精度小于等于30 μm和大焦斑辐照均匀性优于10%的要求,提出了靶场终端光学组件的设计结构。应用有限元法对组件关键机械元件和ICF靶室整体进行动静态分析,优化了设计参数。同时与聚焦透镜配合进行数值分析列阵透镜,确定了单元数、曲率和厚度以及单元长和宽等参数。经过实验测试,主激光瞄准精度达到28.9 μm,大焦斑辐照的形状为1 000 μm×500 μm,均匀性为12.0%。 相似文献
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引入角度偏差、位移偏差作为拼接光栅系统的物理参数,定义了拼接光栅的孔径函数,利用傅里叶角谱理论研究了高斯脉冲入射拼接光栅压缩器后的远场分布特性。研究表明:出射脉冲仍然是高斯型脉冲,但包络中心发生偏移,偏移量由角度偏差量和光束口径决定;位移偏差引入的相位随着拼接光栅压缩器传递,其对远场焦斑的影响,取决于每片子光栅的非整数倍光栅常数的横向位移偏差和纵向位移偏差的综合作用。通过数值计算得到了各维偏差对阵列光栅压缩器空域特性的影响,计算表明:光栅面外角度偏差(俯仰左右)和条纹平行度偏差都必须控制在1 mrad以内,在此范围内,应将位移偏差控制在52 nm以内。 相似文献
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