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物理学
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2011年
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1
1.
纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性
总被引:1,自引:1,他引:0
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于威
徐焕钦
徐艳梅
王新占
路万兵
傅广生
《发光学报》
2011,32(4):347-352
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子,并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究.稳态光致发光结果显示,新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光,经长时间氧化后,该波段发光强度显著增强,并且出现另一峰值位于750 nm附近的红色发光带.不同波长激发和时间分辨光致发光谱的分析表明,纳米硅...
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