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1.
采用固相反应法成功制备出一批Y123与Y211的摩尔比为1∶0.47的混合物,并在此混合物的基础上掺入CeO2,掺入的比例x分别为0.5wt%、1.0wt%、2.0wt%、3.0wt%、4.0wt%。采用了X-射线衍射仪对样品的晶格结构进行了分析,测量结果表明:x=1.0wt%时掺杂效果最好,同时也充分说明Y123的晶格结构与其超导电性之间存在着一种内在的必然关联。并通过对其测试临界转变温度以及转变宽度,测量结果也充分验证了上述结论。  相似文献   
2.
火焰原子吸收法测定大气飘尘中痕量铅铜锰铁钙镁   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了用火焰原子吸收分光光度法测定大气飘尘中痕量铅、铜、锰、铁、钙、镁,回收率96%~104%,相对标准偏差在4%以内.六种元素的线性良好,相关系数在0.9997~0.9999之间.  相似文献   
3.
江绍猷  张永福  包伟国 《有机化学》1984,4(2):145-151134
4.生物大分子光电子能谱现已较多地应用于生物化学领域,对小分子(如尿素、硫脲)、杂环化合物(如卟啉、卟吩、血色素、叶绿素、维生素和生物碱等)以及氨基酸、核酸、蛋白质、细胞组织等,都进行过探索,并提供了许多宝贵的信息,是研究生物分子的一种工具。 4.1 蛋白质与氨基酸光电子能谱比较早就用于测定蛋白质、氨基酸等化合物。其中,有关金属蛋白质中的金属离子的状态以及和配位体键合的情况研究得较多,例如,这一类络合物中铜离子价态的判断就是一个例子。  相似文献   
4.
三、光电子能谱在有机化学中的应用本讲利用前两讲叙述的原理和实验方法,举例说明光电子能谱在有机化学领域中的具体应用。 1.一般有机物分子及其结构分析 1.1.有机物的C 1s谱碳是构成错综复杂的有机化合物的最基本元素,因此,用光电子能谱观察和研究化学环境的变化对C 1s结合能的影响,便首先受到注意。图3-1是乙醇、一氯代甲酸乙酯和三氟醋酸乙酯的C 1s谱。实验采用液体进样器,注射进样,通过冷冻,在另一个固体进样头上凝成一层薄膜,继而用X-射线激发,能量扫描集中在C 1s能级应当出现的区域,对应于结合能为275~295 eV的范围。  相似文献   
5.
我们综述了近年来苯和甲醇烷基化反应研究取得的进展.重点从ZSM-5催化剂的Si/Al、晶粒尺寸、改性等方面介绍了苯和甲醇烷基化催化剂的研究进展,总结并展望了苯和甲醇烷基化反应的研究方向,为ZSM-5分子筛催化剂的改性和苯-甲醇烷基化反应工艺创新提供参考.  相似文献   
6.
本文采用柠檬酸热分解法成功制备出了Y1-xCax(Ba1-xCex)2Cu3O7-δ(x=0、0.03、0.05、0.07、0.09)的一系列样品.我们采用标准的四端引线法对系列样品的超导电性进行了测量,测量结果表明:随着掺杂量x的不断增加,Y123的起始转变温度Tonset和临界转变温度Tc都在逐渐降低.利用X射线衍射仪对系列样品的晶格结构进行了表征分析,测量结果充分验证了上述结论,同时我们也简单阐述了Y123的晶格结构是如何影响其超导电性的.  相似文献   
7.
香精与乙烯/醋酸乙烯酯共聚物粒子界面行为的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了香精与乙烯 /醋酸乙烯共聚物粒子之间的界面行为 ,以便为香型母粒的制备提供必要的理论依据 .利用傅立叶变换红外光谱、表面张力、接触角及比表面面积等测定手段 ,分析了香精与载体之间的吸附类型和润湿作用 .并通过一系列吸附实验 ,讨论了配料比、温度、压力、搅拌等工艺条件对吸附量的影响 .结果表明 ,香精在乙烯 /醋酸乙烯共聚物粒子表面的吸附为物理吸附 ;香精无法完全润湿载体粒子表面 ,但可以对其形成部分浸润 ;提高温度、压力、搅拌速度可以增加吸附量 ,而延长吸附时间对增加吸附量贡献不大  相似文献   
8.
题目:试求。为哪些自然数时,方程2 cosx=(2 sinx)。有解? 解一:山一r《eosx(z得一《2 eosx《3(z) 同理可得3》2 sinx》一(2)从(”及(2,推出音(粼了器《3即去、。、3故”=x,2,3.解二:同解一知卫《2十cosx‘3,于是一《(2 sinx),《3.即l一《2 5 in二《多一,从而1-一Zn《51。二《冬  相似文献   
9.
2.天然与合成高分子化合物用光电子能谱研究高分子化合物,所得数据一般不及红外和核磁来得精细,但具有快速、方便和不破坏表面等优点。对难溶的聚合物或经各种化学和物理处理的高分子化合物表面(如氧化、氟化、溶剂或等离子体处理),以及聚合物的光降解,等离子聚合和辐射接枝等过程进行研究,可以获得许多有价值的信息。有些问题是用其它分析方法无法解决的。 2.1 表面处理 2.1.1.试剂处理使织物阻燃为了赋于棉织物良好的阻燃性能,可以先用 tetrakis (hydroxymethyl) phosphonium  相似文献   
10.
硅—二氧化硅界面过渡区的XPS研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为(111)取向的硅单晶片上低温(700℃)氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50?。氧化膜与单晶衬底中Si2p光电子谱峰之间的化学位移(δ)和强度比(I0x/Isi)随光电子发射角(θ)的变化明显地偏离理想界面所预期的结果,表明在硅-二氧化硅的界面处存在化学比为SiOx(0yO4-y(0≤y≤4)型四面体。比较实验曲线与随机成键模型的计算结果,估计出过渡区的宽度不大于20?,小于Si2p光电子在二氧化硅中的平均逃逸深度。对改变氧化时间结合Ar+刻蚀制得的氧化膜厚度不同的样品所作的测量,得到与角度实验相一致的结果。 关键词:  相似文献   
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