用有应力变换的有限元进行石墨构件的粘弹性应力分析

本文研究反应堆用石墨构件的应力分析问题。由于辐照石墨的蠕变响应是反应堆运行温度和快中子累积剂量的函数。因此使计算复杂化了。为了解决这个问题,本文提出应力变换法得到了有限元公式。对受辐照、有内热源、内外壁为放热条件的厚壁圆筒进行了求解。计算结果表明同解析解吻合得很好,并且具有简化计算和节省时间的优点。     

温度对10MW高温气冷堆用石墨摩擦性能的影响

采用SRV标准摩擦磨损试验台研究了温度对10MW高温气冷堆用石墨IG-11在空气和氦气中的摩擦性能的影响．结果表明：在空气中，室温、100℃、200℃和300℃下石墨的摩擦系数相当，400℃下石墨的摩擦系数最小；在氦气中，室温时石墨的摩擦系数最大，而其它温度下的摩擦系数相对较小．其原因在于，石墨在较高温度下同空气发生氧化反应，在摩擦表面形成具有减摩作用的反应膜，从而使摩擦系数减小．在氦气中，摩擦系数的减小主要归因于石墨层间范德华力的减小。     

阿·爱因斯坦与現代物理学

苏联塔姆院士1960年在《文化与生活》杂志第5期上发表一篇文章,评述爱因斯坦及其相对论在物理学发展史中的重要意义,议论情辟。行文亦简明生动,能帮助读者对这位二十世纪的杰出物理学家及其学术成就有更深的理解。本刊前曾发表介绍爱因斯坦及其相对论的文章多篇,但读此文,仍能给人一种新的印象。特再发表此文,并以之纪念爱因斯坦逝世八周年的忌辰(爱因斯坦逝世于1955年4月18日)。     

侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察

在有条状SiO2图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到4．5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO：掩膜上方都形成了空洞。样品在240℃熔融的KOH中腐蚀13min。在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到10^8cm^-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的CaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的CaN中的晶格失配应力已被部分释放。