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1.
分级型放射肋短壳结构集中力扩散优化设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
张家鑫  王博  牛飞  程耿东 《计算力学学报》2014,31(2):141-148,240
在航天箭体结构设计中,燃料贮箱因其特殊的连接形式往往受较大的集中力作用。传统的放射肋短壳结构被用来扩散集中力以减小其造成的危害,但实际效果并不理想。本文基于拓扑优化的概念设计,综合实际短壳结构承载环境和可制造性,提出了一种"分级型放射肋"贮箱短壳结构。围绕刚度、强度、减重、稳定性和集中力扩散效果等多种需求,基于NSGA-Ⅱ遗传算法建立了多目标优化问题模型。通过形状和尺寸的协同优化策略,得到多目标优化的最优Pareto解集。通过三层级、两层级、单一层级最优设计与传统均匀放射肋设计的对比,验证了分级型放射肋设计的优势和效果;之后,结合实际工程要求选择合理的设计方案。  相似文献   
2.
显微共焦拉曼光谱研究电化学合成聚苯胺膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
显微共焦拉曼技术被用来研究电化学合成的聚苯胺(PANI)膜. 研究结果表明:在不同的激发光聚焦深度,聚苯胺膜的拉曼光谱有明显变化.从而反映出聚苯胺膜的掺杂程度在膜生长过程中随膜厚度的增长而增加. 并由X射线电子能谱(XPS)和紫外吸收光谱(UV)分析证实.  相似文献   
3.
可溶性聚苯并噻吩的电化学合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
聚噻吩及其衍生物具有良好的导电性 ,优越的电致变色及荧光特性 ,可望用于研制各种新型微电子器件[1,2 ] .因此 ,这类聚合物的合成与表征一直受到广泛关注[3] .噻吩类聚合物是一个庞大的家族 ,其中聚异苯并噻吩早就被合成出来[4 ,5] .三氟化硼乙醚溶液 (BFEE)是电聚合芳香族化合物 (如噻吩、苯等 )的一种优良电解质[6~ 10 ] .在这一介质中 ,单体的氧化聚合电位很低 ,得到的导电高分子膜具有优良的机械力学性能 .本文将报道苯并噻吩在纯BFEE或BFEE与浓硫酸形成的混合电解质中的电化学聚合反应 .用这一方法合成得到了能发出蓝色…  相似文献   
4.
报道了在固体KOH及相转移催化剂作用下 ,四氯化碳与二甲基亚砜 (DMSO)发生一种新颖碳化反应 ,生成棕色的富碳材料 .该富碳材料在 70 0℃下加热分解 ,提纯后得到直径为 30~ 80nm的多孔碳粒子 .该碳材料比表面积为 4 30m2 ·g-1,平均孔径为 2 .6× 10 -9m ,其结构中同时含有sp2 与sp3 杂化的碳原子  相似文献   
5.
变温拉曼光谱研究电化学合成聚吡咯膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
在含有四氟化硼四丁基铵的乙氰溶液中电化学氧化吡咯制得聚吡咯膜,并在-195到150℃温度范围内研究了该聚合物膜的变温拉曼光谱。在升温过程中,与氧化态相关的拉曼光谱谱带渐渐消失,这主要是由于空气中氧气和水分子的作用。在冷冻过程中,聚合物链从无规线团状态转变成棒状构象,从而增加了导电高分子的共轭链长。由于拉曼的共振效应,在冷冻过程中与氧化态链段相关的谱带得到了增强。  相似文献   
6.
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。  相似文献   
7.
以单轴应力作用下超晶格量子阱应变能带理论为基础,采用电子反射与干涉方法,研究了单轴应力对超晶格能带的影响,推导了单轴应力与超晶格导带子能级的定量关系。以GaAs-AlGaAs-GaAs为例,具体计算了导带中子能级对应力的依赖关系,进而给出了单轴应力对n型AlGaAs-GaAs量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响。计算结果表明,随着单轴压应力的增大,量子阱红外探测器的吸收波长表现出较明显的变化。当单轴压力增大到1.3GPa,量子阱红外探测器的吸收峰值移动了将近1.1μm,并且基本与应力呈线性关系。量子阱红外探测器吸收波长连续可调范围5.57~4.46μm。  相似文献   
8.
3-甲基噻吩和3-氯噻吩首次三氟化硼乙醚溶液中实现了电化学共聚。共聚物的分子结构通过电化学分析、红外和拉曼光谱得到了证实。实验结果表明:单体投料比对共聚物的结构和电化学性质有很大的影响;共聚物比3-甲基噻吩和3-氯噻吩的均聚物具有更大的充放电电容和更可逆的氧化还原性质。  相似文献   
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