CH薄膜非平衡辐射烧蚀的特性

 用一维多群辐射输运流体力学RDMG程序数值模拟研究了在神光-II黑腔辐射源条件下，非平衡辐射烧蚀CH薄膜的过程，给出了与平衡辐射烧蚀不同的烧蚀图像，得到了非平衡辐射烧蚀相关的数值定律。     

非平衡辐射烧蚀对内爆中子产额的影响

 利用1维多群非平衡辐射输运RDMG程序，对不同能谱分布的辐射场驱动的靶丸的辐射烧蚀过程及中子产额进行了模拟计算，并与实验测量结果进行了初步比较。结果发现，辐射驱动源的能谱平衡性，特别是高能金M带成分对内爆靶丸产生预热效应，降低核燃料区压缩度，电子及离子温度，从而显著降低了中子产额。计算结果表明：中子产额随CH壳厚增加而下降，该变化规律与实验结果基本符合。     

辐射烧蚀CH薄膜非平衡理论计算与实验比对分析

 用一维非平衡辐射输运程序和实验提供的黑腔辐射流，对CH薄膜靶的辐射烧蚀进行了数值模拟计算。计算结果表明，非平衡的黑腔辐射场对CH薄膜靶辐射烧蚀的影响十分明显。出靶外界面的辐射流总强度、等效辐射温度随时间变化、400eV光子出界面延迟时间随靶厚度变化规律等方面的数值模拟结果与实验结果基本符合。     

D-3He系统的聚变点火燃烧过程

 对少高能中子的D-3He聚变系统的点火燃烧过程进行了解析研究，给出了D-3He聚变点火和燃烧条件，并用数值模拟方法计算了几个典型的物理模型，得到了有关的物理图象和一些主要计算结果。研究结果进一步论证了D-3He聚变系统是将来少中子聚变电站的最佳候选者。