顺序注射化学发光分析法测定空气中的甲醛

基于碱性条件下甲醛对没食子酸-过氧化氢发光反应的增敏作用,建立了顺序注射与化学发光检测联用测定空气中甲醛的新方法。在选定的实验条件下,甲醛浓度与发光强度在1.0×10^-7~2.0×10^-3 mol/L范围内呈线性关系,相关系数0.999 3,方法的检出限(3σ)为5.0×10^-8 mol/L。对1.0×10^-6 mol/L的甲醛进行11次连续测定的相对标准偏差为2.1%,每小时可实现连续测定140次以上。方法的回收率为92.0%~108.0%,对环境标准样品中甲醛的测定结果与推荐值一致。     

基于鞘脂组学技术探究布洛芬对斑马鱼脑组织的立体选择性影响

以斑马鱼成鱼为研究对象,借助于鞘脂组学技术,探究了一种新型手性环境污染物布洛芬对斑马鱼脑组织中鞘脂含量的影响。建立了超高效液相色谱-三重四极杆-线性离子阱复合质谱检测斑马鱼成鱼脑组织中46种鞘脂的定量方法。借助于该方法对经布洛芬外消旋体及对映体暴露后的斑马鱼脑组织中的46种鞘脂进行了定量分析,通过考察主成分分析（PCA）、正交偏最小二乘法分析（OPLS-DA）及显著性差异分析（P）筛选出差异代谢物。同时,结合组间差异分析的结果可知,环境水平的布洛芬会导致斑马鱼脑组织中鞘脂代谢发生紊乱,且布洛芬的对映体之间存在立体选择性毒性。     

基于BS结构的太赫兹光谱数据库的设计与实现

随着太赫兹技术中关键科学与技术问题的解决和有关仪器发展,其在各个领域的应用也备受人们的关注。由于太赫兹光谱技术具有一些独特优势,在快速无损检测技术的发展方面具有重要的应用前景,该技术与其他方法互补,可以解决许多原来难以解决的检测问题。进一步开发太赫兹光谱技术实际检测方法的关键之一就是需要具有一套较为完整和可靠的太赫兹光谱数据库。介绍了近期开发的一个基于浏览器/服务器(Browser/Server)的太赫兹光谱数据库系统。根据实际需要设计了太赫兹光谱数据库的结构和主要功能。该数据库目前包括240多条太赫兹光谱信息,其数据来源包括三个部分：(1)收集了部分国外太赫兹光谱数据库的信息;(2)从文献中收集部分光谱数据;(3)国内部分实验室测量的太赫兹光谱数据。着重介绍了建立BS结构的太赫兹数据库的基本结构和项目,介绍了BS结构太赫兹光谱数据库的功能与检索方法。该数据库具有计算样品的光学参数功能,可以根据输入的太赫兹时域光谱数据计算出样品的吸收系数,折射率等其他光学参数,以便于样品特征研究和谱库检索。检索系统能方便的提供注册用户收集、查询、显示谱图及其实验数据和分子结构图、数据匹配等功能。该数据库可以登录http://www.teralibrary.com进行查询和使用。该数据库是根据目前的太赫兹光谱数据信息建立的,以后会逐渐完善。希望该太赫兹光谱数据库能够为用户提供强大、方便和高效的服务功能,进而推进太赫兹技术在更多领域的应用。     

节点失效下全端可靠性的上界

推广了A bdu llah K onak and A lice E.Sm ith提出的方法,在链路和节点均不可靠的条件下,给出了全端可靠性上界的估算公式,利用该公式估算上界简洁方便,精度高.具有实用价值.     

顺序注射在线稀释测定人体液中尿酸

基于酸性条件下甲醛对尿酸-KMnO4发光反应的增敏作用,建立了在线稀释顺序注射化学发光联用技术测定人体液中尿酸的新方法。在选定的实验条件下的7个浓度梯度范围内,尿酸浓度在5.0×10-6mol/L~1.0×10-3mol/L范围内与发光强度呈良好线性关系,相关系数0.9942~0.9998,RSD在2.0%~3.5%之间,回收率为98.0%~103.0%。每小时可分析80个样品,在线稀释测定结果与手工稀释法一致。     

Novel high-K with low specific on-resistance high voltage lateral double-diffused MOSFET

A novel voltage-withstand substrate with high-K (HK, k>3.9, k is the relative permittivity) dielectric and low specific on-resistance (R_on,sp) bulk-silicon, high-voltage LDMOS (HKLR LDMOS) is proposed in this paper. The high-K dielectric and highly doped interface N⁺-layer are made in bulk silicon to reduce the surface field drift region. The high-K dielectric can fully assist in depleting the drift region to increase the drift doping concentration (N_d) and reshape the electric field distribution. The highly doped N⁺-layer under the high-K dielectric acts as a low resistance path to reduce the R_on,sp. The new device with the high breakdown voltage (BV), the low R_on,sp, and the excellent figure of merit (FOM=BV²/R_on,sp) is obtained. The BV of HKLR LDMOS is 534 V, R_on,sp is 70.6 mΩ·cm², and FOM is 4.039 MW·cm^-2.