采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布

设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption，EA)调制器.模拟和测试的结果均表明：单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布，使椭圆形的近场光斑变得圆形化，从而达到与圆形模式光纤之间的匹配，有利于提高耦合效率.     

浆态床中Cu/ZnO/Al2O3/ZrO2+γ-Al2O3双功能催化剂一步法合成二甲醚

采用共沉淀法,制备了纤维状CD501甲醇合成催化剂,采用SEM、TEM、XRD和BET等手段对催化剂进行了表征;并将其进一步和γ-Al₂O₃进行混合,获得了Cu/ZnO/Al₂O₃/ZrO₂+γ-Al₂O₃双功能催化剂,考察了其在浆态床中一步法合成二甲醚过程的催化特性。结果表明,相比商业催化剂(COM)和LP201催化剂,新型的CD501催化剂具有更大的比表面积和Cu/Zn分散性。对于浆态床中一步法合成二甲醚过程,采用CD501与γ-Al₂O₃双功能催化剂,相比采用COM或LP201与γ-Al₂O₃双功能催化剂,CO转化率提高了一倍,且经过270h测试,CO转化率从61%降至57%,二甲醚时空产率从0.54g/(g·h)降至0.48g/(g·h),稳定性显著优于COM催化剂。当反应温度为250℃,压力为4.0MPa,空速为3000mL/(g·h),氢碳比为1.0时,该催化剂应用在浆态床一步法合成二甲醚时,CO转化率为61%,DME时空产率达到0.54g/(g·h)。     

用于CO2或CO加氢合成甲醇过程的高活性Cu/ZnO/Al2O3纳米纤维催化剂

 采用特殊的共沉淀法制备了一种在CO2加氢和CO加氢过程中都具有很高活性的Cu/ZnO/Al2O3纳米纤维催化剂. 与商业催化剂相比,该催化剂的CO2和CO转化率、甲醇选择性和甲醇时空产率高很多. 该合成方法不需要有机试剂和复杂的过程,因此生产成本低,容易实现.     

复合支持向量机方法及其在光谱分析中的应用

SVC和SVR是支持向量机研究的两个主要问题.文章把两种建模方法相结合,先由SVC模型判别分类,后由各类的局部SVR模型进行定量分析,提出了复合支持向量机(CSVM)方法.根据71个试验小区的水稻冠层高光谱与叶片含氮量建立定量分析模型,考证了CSVM算法.基于模拟研究的思想,随机划分建模集和预测集,比例为55∶16.经过5次划分试验,复合支持向量机方法建模对叶片含氮量的预测值与凯氏定氮实际值之间的平均相关系数为0.89,平均绝对误差为0.088;而传统的支持向量机方法得到的平均相关系数为0.87,平均绝对误差为0.091.由此可见,复合支持向量机方法相对于传统的支持向量机方法预测精度有所提高.文章研究方法的提出为化学计量学定量分析研究给出了新的思路.     

残存钠对铜基甲醇合成催化剂活性与稳定性的影响

通过控制去离子水洗涤次数,制备了一系列不同钠含量的Cu/ZnO/Al2O3/ZrO2甲醇合成催化剂,研究了钠含量对催化剂活性和稳定性的影响.结果表明,催化剂的活性和稳定性随着残存钠含量的降低而迅速增加.通过X射线衍射、扫描电镜和透射电镜表征发现,残存的钠会加速催化剂的烧结,使晶粒长大,降低催化剂的比表面积.为了得到高活性和高稳定性的铜基甲醇催化剂,必须将催化剂中的钠含量控制在0.5mg/g以下。     

渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

采用超低压(22 mbar)选择区域生长(Selective Area Growth, SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well, MQW)材料. 在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm)，得到了46nm的光荧光(Photoluminescence, PL)波长偏移量，PL半高宽(Full-Width-at-Half- 关键词： 超低压 选择区域生长 渐变掩蔽图形     

浆态床中Cu/ZnO/Al_2O_3/ZrO_2+γ-Al_2O_3双功能催化剂一步法合成二甲醚

采用共沉淀法,制备了纤维状CD501甲醇合成催化剂,采用SEM、TEM、XRD和BET等手段对催化剂进行了表征;并将其进一步和γ-Al2O3进行混合,获得了Cu/ZnO/Al2O3/ZrO2+γ-Al2O3双功能催化剂,考察了其在浆态床中一步法合成二甲醚过程的催化特性。结果表明,相比商业催化剂(COM)和LP201催化剂,新型的CD501催化剂具有更大的比表面积和Cu/Zn分散性。对于浆态床中一步法合成二甲醚过程,采用CD501与γ-Al2O3双功能催化剂,相比采用COM或LP201与γ-Al2O3双功能催化剂,CO转化率提高了一倍,且经过270 h测试,CO转化率从61%降至57%,二甲醚时空产率从0.54 g/(g.h)降至0.48 g/(g.h),稳定性显著优于COM催化剂。当反应温度为250℃,压力为4.0 MPa,空速为3 000 mL/(g.h),氢碳比为1.0时,该催化剂应用在浆态床一步法合成二甲醚时,CO转化率为61%,DME时空产率达到0.54 g/(g.h)。     

多因变量LS-SVM回归算法及其在近红外光谱定量分析中的应用

以LS-SVM算法为基础,建立了权重可优化的多因变量LS-SVM回归模型,给出了相应的算法(MIS-SVM),并从理论上说明了它与IS-SVM的关系.以64个高粱样品为实验材料,其中建模集与预测集中样品的比例为51:13.从区间[0,1]之间均匀地随机选取5组权重,根据预测平均相对误差最小的准则,按照LOO方式确定了一组合适的权重及参数,建立了近红外光谱同时分析三个化学组分蛋白质、赖氨酸和淀粉的多因变量定量分析模型.结果得到三个组分模型的预测值与实际值的平均相对误差分别为1.65%,6.47%和1.37%,相关系数分别为0.994 0,0.839 2和0.882 5,而LS-SVM算法建模预测三个组分的平均相对误差分别为1.68%,6.25%和1.47%,相关系数分别为0.994 1,0.831 0和0.880 0.可见MIS-SVM算法与LS-SVM算法的建模分析效果相当,且都取得了较满意的结果,验证了MLS-SVM算法同时定量分析多组分含量的可行性.另外,文章也验证了不同权重对MLS-SVM算法的预测性能有一定影响,由此表明在实际多因变量建模分析中对权重进行优化是必要的.     

Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates

A novel integratable and high speed InGaAsP multi-quantum well （MQW） complex-coupled distributed feedback （DFB） laser is successfully fabricated on a semi-insulating substrate. The fabricated ridge DFB laser exhibits a threshold current of 26 mA, a slope efficiency of 0. 14 W·A^-1 and a side mode suppression ratio of 40 dB together with a 3 dB bandwidth of more than 8 GHz. The device is suitable for 10 Gbit/s optical fiber communication.     

Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition

Photoluminescence （PL） and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots （QDs） with different growth procedures prepared by metalorganic chemical vapour deposition are studied. PL measurements show that the low growth rate QD sample has a larger PL intensity and a narrower PL line width than the high growth rate sample. During rapid thermal annealing, however, the low growth rate sample shows a greater blueshift of PL peak wavelength. This is caused by the larger InAs layer thickness which results from the larger 2-3 dimensional transition critical layer thickness for the QDs in the low-growth-rate sample. A growth technique including growth interruption and in-situ annealing, named indium flush method, is used during the growth of GaAs cap layer, which can flatten the GaAs surface effectively. Though the method results in a blueshift of PL peak wavelength and a broadening of PL line width, it is essential for the fabrication of room temperature working QD lasers.