自支撑二值化Beynon-Gabor波带片的制备及其单级聚焦特性

Gabor波带片是一种理想的单级聚焦光学元件,但制备困难.本文采用聚焦离子束直写技术成功制备出30环、20扇区的二值化Beynon-Gabor波带片,其有效面积半径为700μm,第一环半径90μm.利用各向异性腐蚀液对硅基底进行开孔,实现了Beynon-Gabor波带片二值化、自支撑、镂空的结构特征.在波长为355 nm的激光下测试其光学性能,结果表明所制备的Beynon-Gabor波带片主光轴上只存在1级衍射叠加后的焦点,不存在高级衍射焦点,具有优异的单级聚焦性能.     

二乙基铍与二叔丁基铍热解机理的理论计算

考虑了各种可能的自由基和多渡态裂解反应通道,采用分子体系第一性原理计算研究了二乙基铍与二叔丁基铍单分子热解机理．分别用B3LYP、CCSD(T)和G3B3研究了分子裂解反应的势能面,给出了各反应物、产物和过渡态的几何结构、振动频率和相对能量．结果显示从热力学角度,对于上述两个分子,其主要的热解均是通过协同消除的过渡态反应而进行的．分析了这两个分子热解势能面的差 异,并计算了相关反应通道的反应焓变和反应速率常数．