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1.
The 6-period stacked layers of self-assembled InAs quasi-quantum wires(qQWRs) and quantum dots(QDs) embedded into InAlAs on InP(001) substrates have been prepared by solid molecular beam epitaxy. The structures are characterized by atomic force microscopy(AFM) and transmission electron microscopy(TEM). From AFM we have observed for the first time that InAs qQWRs and QDs coexist, and we explained this phenomenon from the view of the energy related to the islands. Cross-sectional TEM shows that InAs qQWRs are vertically aligned every other layer along the growth direction [001], which disagrees with conventional vertical self-alignment of InAs QDs on GaAs substrate.  相似文献   
2.
GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
报道了GaAs(311)A衬底上的自组装InAs量子点的结构和光学特性.原子力量显微镜结果表明(311)A GaAs衬底上的InAs量子点呈箭头状,箭头方向沿[233]方向.实验发现,量子点的光致发光(PL)强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关.随着温度的升高,量子点的发光强度减小,峰位快速红移,半高宽单调下降.可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的,这一模型圆满解释了我们的实验结果. 关键词:  相似文献   
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