等离子体辅助法合成α-Si3N4/SiO2纳米梳

晶体的α-Si3N4内核和非晶的SiO2外壳组成的纳米梳通过简单的直流电弧方法合成。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)等对纳米梳进行表征。纳米梳的光致发光谱展现了两个强的发光峰,分别在450和511 nm。α-Si3N4/SiO2核壳结构纳米梳生长机制为等离子体辅助气-固生长机制。     

等离子体辅助法合成α-Si_3N_4/SiO_2纳米梳（英文）

晶体的α-Si3N4内核和非晶的SiO2外壳组成的纳米梳通过简单的直流电弧方法合成。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)等对纳米梳进行表征。纳米梳的光致发光谱展现了两个强的发光峰,分别在450和511 nm。α-Si3N4/SiO2核壳结构纳米梳生长机制为等离子体辅助气-固生长机制。     

等离子体辅助法合成α-Si3N4/SiO2纳米梳

晶体的α-Si₃N₄内核和非晶的SiO₂外壳组成的纳米梳通过简单的直流电弧方法合成。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微术（SEM）、透射电子显微术（TEM）、傅里叶红外光谱（FTIR）等对纳米梳进行表征。纳米梳的光致发光谱展现了两个强的发光峰,分别在450和511nm。α-Si₃N₄/SiO₂核壳结构纳米梳生长机制为等离子体辅助气-固生长机制。