极紫外多层膜残余应力初步研究

 针对极紫外多层膜在激光等离子体诊断、极紫外光刻等方面的应用，进行了Mo/Si多层膜残余应力的实验研究，讨论了多层膜残余应力的成因。实验结果表明：Mo单层膜表现为张应力， Si单层膜表现为压应力；通过传统方法制备的13.0 nm处高反射率的40对Mo/Si多层膜会产生-500 MPa左右的压应力，其压应力主要是由膜层之间的贯穿扩散引起的；通过改变膜层比率可以在一定程度上补偿因贯穿扩散产生的压应力，但是以牺牲多层膜反射率为代价。