首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   5篇
  国内免费   5篇
力学   2篇
数学   6篇
物理学   5篇
  2008年   1篇
  2000年   1篇
  1999年   2篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1994年   3篇
  1990年   2篇
  1986年   1篇
排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
基于地质灾害的多样性及其变化的随机性和非稳定性特点,本文综合利用数学算法和GIS技术,设计了地质灾害预警模型,分析了诱发地质灾害的地形、地貌、气象、水文等几方面的因素,并根据这些因素的特点,选取不同的样本对其进行量化处理,运用主成分分析法,计算了各个因素导致地质灾害发生的权重指数及各监测站点的易发级别。在此基础上,基于GIS技术、采用泰森多边形法等将站点的易发级别转换成面的易发级别,运用日降雨量、降雨强度等指标计算出地质灾害发生的概率,通过区域化易发等级图与降雨图的叠加分析,采用地质气象偶合方法,实现了地质灾害预测。在某省案例区的研究表明,本研究设计的地质灾害预警模型具有较高的预警精度(预警结果80%符合实际情况)。  相似文献   
2.
本文首先指出Kornai-Weibull排队模型(A)中之接待率r(y)的定义是不正确的,并给出接待率r(y,y2)的正确定义.其次,证明了修正模型(1)有“正常状态”的充要条件是接待能力(?)于是,本文发现接待能力S的分歧值是S;当S<S时,市场是短缺的;当S≥S时,市场是不短缺的.  相似文献   
3.
GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍. 关键词:  相似文献   
4.
5.
这篇文章首先明确地指出,具有等待的买者的Kornai-Weibull排队模型与没有等待者的Kornai-Weibull排队模型具有要同的纰漏,其次,本文在较自然条件下严格证明了修正后模型存在的“正常状态”研究Kornai-Weibull排队模型理论能够深刻地揭示了计划经济的弊端。  相似文献   
6.
用Monte Carlo方法模拟了GaAs(001)面的邻晶面上的分子束外延的生长过程,模拟的基本模型是常用的SOS模型,结果显示在A类邻晶面上二维成核模式起主委作用,但在B类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用,但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式.另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象. 关键词:  相似文献   
7.
The purpose of this article is to indicate the shortcomings of a few theorems of[1].Moreover.some interesting results are deduced.  相似文献   
8.
9.
这篇文章首先明确地指出,具有等待的买者的Kornai-Weibul排队模型与没有等待者的Kornai-Weibul排队模型具有相同的纰漏.其次,本文在较自然的条件下严格地证明了修正后的模型存在“正常状态”.研究Kornai-Weibul排队模型理论能够深刻地揭示计划经济的弊端.  相似文献   
10.
用调制光谱的方法对分子束外延(MBE)生长在GaAs(100)衬底上的一组超薄层本征型AlxGa1-xAs层进行了原位的研究.对厚度在35nm以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰,而对厚度在100nm的样品只观察到了一个跃迁峰.观察到的各峰随厚度的改变而变化.用台阶势模型很好地解释了实验结果 关键词:  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号