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针对偶氮基光敏分子存在放热速率慢和温度难以控制的难点,在分子结构设计基础上,采用氧化偶合法制备了具有固-液相变功能的4,4′-对-二正己基偶氮苯(AZO-L6).由于分子间作用力较低,偶氮苯分子呈现低熔、快异构化的特点,在发生反-顺异构化转变时大幅降低分子的熔点.固-液相变过程实现了光热能和相变焓的存储,在结构回复时同时放出储存的能量(231.8 kJ/kg),并将相变偶氮苯应用于可穿戴聚合物复合织物中.结果显示储能后的相变偶氮苯分子在蓝光(440 nm)刺激下在60 s内可将材料温度提升0.8℃,获得了具有自加热功能的可穿戴复合织物,为探索多功能自保温可穿戴装置提供了研究思路. 相似文献
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Transparent conductive graphene films prepared by hydroiodic acid and thermal reduction 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
Transparent conductive graphene films are fabricated by the transfer printing of graphene aqueous dispersion followed by hydrohalic acids and thermal reduction. Results indicate that the graphene film reduced by hydroiodic acid (HI) reduction combined with thermal treatment shows a higher electrical conductivity than that reduced only by thermal treatment at the same transparency. A film with a sheet resistance of - 2400 D./sq at a transparency over 72% is obtained at a typical wavelength of 550 nm. 相似文献
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本文在对有机光伏电池载流子产生机理分析的基础上,从有机光伏电池激活层的微观结构对光电转换效率影响的角度,系统介绍了目前该领域的一些重要研究成果,详细分析了影响光电转换效率的主要因素,并提出了一系列改善光伏电池效率的方法,对未来该领域的研究作了展望。 相似文献
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石墨烯是一种具有六角型蜂巢状晶格的二维碳纳米材料,它由碳原子以sp2电子轨道杂化形成,它的高比表面积以及优良的力学、电学、光学和热学性能使它成为智能材料的基本构筑单元。利用具备特定功能的聚合物、小分子或者纳米粒子对石墨烯进行修饰或者杂化,得到具备相应刺激响应性能的石墨烯材料,与传统的刺激响应型高分子材料相比,它具备更佳的力学性能以及更好的环境稳定性,有望在致动器、传感器、自愈合材料、光热治疗以及可控药物输送等方面得到应用。本文简要概述了近年来利用对温度、pH、电、光以及有机分子等刺激响应的聚合物和小分子化合物对石墨烯进行修饰,并赋予其智能响应特性的方法以及相关应用研究,分析了现有智能响应石墨烯材料的不足,展望了其未来的应用前景以及发展方向。 相似文献
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针对聚合物复合材料存在的结构受损导致导热和力学强度降低的问题,提出利用导热填料增强自修复聚合物,实现导热性能和力学强度的快速修复.通过对双(3-氨丙基)封端的聚二甲基硅氧烷(H2N-PDMS-NH2)进行端基改性,得到脲基嘧啶酮(UPy)双封端的聚二甲基硅氧烷(UPy-PDMS-UPy),于60℃下20 h后拉伸强度修复效率可达86.6%.进一步填充羟基化氮化硼(mBN)制备兼具自修复功能的导热复合材料,研究发现mBN的填充导致复合材料强度提高但韧性降低,对导热性能和自修复功能分别起积极和不利影响.当mBN含量为30 wt%时,热导率高达2.579 W·m^?1·K^?1,于60℃下40 h后拉伸强度修复效率达82.0%.红外热像仪显示,损伤处接触10 h后,mBN-30/UPy-PDMS-UPy上表面温度接近初始温度,展现出导热通路的修复特征,实现导热与自修复功能的兼备. 相似文献
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本文在对有机光伏电池载流子产生机理分析的基础上,从有机光伏电池激活层的微观结构对光电转换效率影响的角度,系统介绍了目前该领域的一些重要研究成果,详细分析了影响光电转换效率的主要因素,并提出了一系列改善光伏电池效率的方法,对未来该领域的研究作了展望。 相似文献
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采用微机械剥离法得到横向尺寸为10 μm的碲化锗(GeTe)纳米片. 通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法, 以钛金合金为接触电极, 制备基于二维碲化锗(2D-GeTe)纳米材料的场效应晶体管(FET), 并测定了其电学性能. 结果表明, 剥离所得GeTe纳米材料具有良好的结晶性, 光学带隙为1.98 eV, 属于p型半导体; 该场效应晶体管展现出了6.4 cm2·V?1·s?1的载流子迁移率和670的开关电流比的良好电学性能. 相似文献
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