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1.
提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电压.从而,载流子的注入得到了平衡,OELDs的性能得到了较大提高.经过数值计算,发现LiF插入层有一个约为1.5~5.0nm的最优厚度.LiF层太厚或太薄都会提高器件的开启电压、降低器件的性能.结果表明:这一模型可以用来解释OELD通过LiF修饰阴极后性能的提高.  相似文献   
2.
代国章  李宏建  潘艳芝  戴小玉  谢强 《中国物理》2005,14(12):2590-2594
Based on the energy transfer process from host to dopant in an organic electrophosphorescent (EP) device, the expression of energy transfer probability ($\eta )$ between the host (TPD) and guest (Ir(ppy)$_{3})$ EP systems was proposed. The results show that: ({1}) The rate of the triplet energy transfer ($K_{\rm HG}$ and $K_{\rm GH})$ increases exponentially with increasing donor-acceptor molecular distance ($R$), whereas decreases as the intermolecular distance ($R_{\rm HH})$ increases from 0.8 to 2.4 nm. Furthermore, $K_{\rm GH}$ changes more quickly than $K_{\rm HG.}$ ({2}) The energy transfer probability ($\eta )$ increases as $R$ reduces, and the $R_{\rm HH}$ changes can be safely neglected for $R<$0.9 nm. The situation changes for 0.9nm$ < R < 1.1$nm, $R_{\rm HH }$ ($<1$nm) plays an essential role when $\eta $ changes and increases with the latter. However, if $R > 1.1$nm, the transfer probability will be below zero. Here, the energy transfer principle may be less important, and the high electroluminescence (EL) quantum efficiency of phosphorescent system will be attributed to the direct electron-hole recombination in phosphorescent molecules. ({3}) The $\eta $ will increase when the Forster radius ($R_{0})$ increases or Gibb's energy decreases.  相似文献   
3.
采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫外吸收光谱峰在银纳米线合成后期发生了明显的红移,由384nm红移至约388nm处,表明银纳米线合成后期直径迅速增长,银纳米线发生了快速的侧向生长。SEM研究表明银纳米线直径在反应前期(15~23min)只增加了20nm,而在反应后期(23~30min)银纳米线直径增加了近150nm,SEM观察结果与UV-Vis分析结论一致。同时还发现银纳米线直径不仅与晶种大小有关而且与银线外覆盖的银层厚度有关,银源以吸附在银线侧面的小银颗粒为附着点沿其侧面多点沉积导致了银纳米线的侧向生长;降低反应液温度(165℃降至155℃),降低PVP滴加速度(67mL·h~(-1)减小到49mL·h~(-1))以及减少银纳米线合成后期PVP加入量可抑制银纳米线的侧向生长,显著提高银纳米线长径比,银纳米线直径由200nm减小至100nm左右,长度仍保持在100μm以上。  相似文献   
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