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本文探讨了具有缓冲功能的三值 GaAs电路的基本结构 ,特别是对三值 GaAs逻辑输出级电路 进行了讨论 ,提出了 2种三值 GaAs电路的逻辑级电路的结构 ,经过 PSPICE程序的模拟 ,选取了较理想 的一种电路结构 ,并由此建立了对应的开关模型. 根据该模型提出了适用于三值 GaAs在开关元件级的 电路设计方法 . 相似文献
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分析了K图在表示逻辑函数最大项展开式的特点和性质,发现在K图中作含某格的所有聚合圈相应的和项中所含变量的极性与该格对应的最大项具有相同的极性.在此基础上提出了基于K图的逻辑函数OC展开式在固定极性下化简的新方法.该方法可以利用K图直接得到逻辑函数的最小化的OC展开式,从而省略了传统方法把K图转换为dj图的步骤,具有直观、方便等特点. 相似文献
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本文分析了以电阻为负载的传统三值TTL反相器的缺点,借鉴二值TTL推挽输出级的结构,设计了三值TTL电路的推挽输出级.用SPICEⅡ对设计电路的计算机模拟表明,具有推挽输出结构的三值TTL电路具有较强的驱动能力及较快的工作速度. 相似文献
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设计了一种使用阵列波导光栅对分布式光纤布喇格光栅中心波长较大范围变化的解调方法.根据阵列波导光栅各通道的中心波长可随温度变化而改变的特性,通过控制软件循环地在几分钟内使加在阵列波导光栅的芯片温度从30℃线性增加到90℃,同时用微机高速采集各通道的数据并分别找出各通道数据的最大值时刻所对应的阵列波导光栅芯片温度,从而根据其波长-温度关系在微机上报告此时各光纤布喇格光栅的中心波长.实验结果表明,系统有效地解决了分布式解调的问题, 微机以小于10 min的周期报告出每通道0.6 nm范围变化的光纤布喇格光栅中心波长(共40个通道),测量相对误差小于2%. 相似文献
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利用数值模拟方法,结合反应动力学和气体输运过程,研究喷淋式MOCVD反应器中AlN的生长速率和气相反应路径与反应前体流量(NH3和 H2)、进口温度、压强、腔室高度等参数的关系。研究发现:薄膜生长前体和纳米粒子前体的浓度决定了不同的生长速率和气相反应路径。在低Ⅴ/Ⅲ比(2 000)、高H2流量(12 L/min)、高进口温度(700 K)、低压强(2 kPa)、低腔室高度(5 mm)等条件下,气相反应路径由加合路径和热解路径并存,生长速率较高。反之,化学反应路径则由加合路径主导,生长速率较低。上述参数对反应路径的影响原因包括:气体流量(NH3和H2)较大,反应前体被带出生长区域或被稀释;低压强和低腔室高度使粒子碰撞频率降低、驻留时间缩短,进而削弱了寄生反应;进口温度导致温度梯度的变化。 相似文献
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讨论了基于异或运算的bj展开系数和基于符合运算的dj展开系数的矩阵转换方法,给出了8种矩阵转换方法.虽然本文的讨论仅限于3变量,但是由于变换矩阵满足递推律容易,将这些方法推广至任意变量数. 相似文献
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基于阵列波导光纤温度特性的分布式光纤布喇格光栅解调法 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种使用阵列波导光栅对分布式光纤布喇格光栅中心波长较大范围变化的解调方法.根据阵列波导光栅各通道的中心波长可随温度变化而改变的特性,通过控制软件循环地在几分钟内使加在阵列波导光栅的芯片温度从30℃线性增加到90℃,同时用微机高速采集各通道的数据并分别找出各通道数据的最大值时刻所对应的阵列波导光栅芯片温度,从而根据其波长-温度关系在微机上报告此时各光纤布喇格光栅的中心波长.实验结果表明,系统有效地解决了分布式解调的问题,微机以小于10min的周期报告出每通道0.6nm范围变化的光纤布喇格光栅中心波长(共40个通道),测量相对误差小于2%. 相似文献