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1.
界面效应调制忆阻器研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.  相似文献
2.
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
郑晓虎  黄安平  杨智超  肖志松  王玫  程国安 《物理学报》2011,60(1):17702-017702
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45 nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.  相似文献
3.
邓思盛  肖志松  燕路  黄安平 《物理》2012,41(3):179-185
陀螺技术作为惯性导航的重要组成部分已广泛应用于国民经济和军事工业的众多领域.文章综述了包括机械陀螺、光学陀螺和原子陀螺在内的陀螺技术的发展过程和基本特点,着重论述了集成光学陀螺及其相关技术研究的现状与发展趋势.通过对比各种类型陀螺的性能特点,结合导航技术的发展趋势,展望了各种陀螺在相应领域的发展前景.  相似文献
4.
黄力  黄安平  郑晓虎  肖志松  王玫 《物理学报》2012,61(13):137701-137701
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下, SiO2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要, 用高 k材料替代SiO2是必然选择. 然而, 由于高 k材料自身存在局限性, 且与器件其他部分的兼容性差, 产生了很多新的问题如界面特性差、 阈值电压增大、 迁移率降低等. 本文简要回顾了高 k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、 结构和工艺等方面采取的解决措施, 重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用, 并展望了未来的发展趋势.  相似文献
5.
In metal-gate/high-k stacks adopted by the 45 nm technology node, the flat-band voltage (Vfb) shift remains one of the most critical challenges, particularly the flat-band voltage roll-off (Vfb roll-off) phenomenon in p-channel metal-oxide-semiconductor (pMOS) devices with an ultrathin oxide layer. In this paper, recent progress on the investigation of the Vfb shift and the origin of the Vfb roll-off in the metal-gate/high-k pMOS stacks are reviewed. Methods that can alleviate the Vfb shift phenomenon are summarized and the future research trend is described.  相似文献
6.
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.  相似文献
7.
过渡金属硅化物β-FeSi2因其原料价格低廉且利于环保而成为理想的硅基发光材料之一。探讨了β-FeSi2的发光机理,介绍了几种β-FeSi2薄膜制备方法并比较了不同制备方法的特点,总结了最近几年来β-FeSi2的研究进展和主要研究结果。结合作者已经取得的结果和积累的经验,提出了提高材料发光性能方法,认为良好的结晶质量和尽可能减少缺陷是β-FeSi2高效发光的基础,因此有必要探索新的制备方法并改善已有的制备工艺。另外,尝试在β-FeSi2薄膜中应用其它元素,也有可能增大发光效率;而有效激发β-FeSi2的p-i-n结构也是提高发光效率的方法之一。最后,讨论了β-FeSi2的发展趋势,展望了该种材料的发展前景。  相似文献
8.
宽带光放大是指在整个硅基光纤最低损耗带1.4μm~1.7μm能够获得有效信号净增益的光放大。研究高效的宽带光放大材料可以大大满足人们提高通信容量和实现光集成的要求。材料体系的研究主要集中在稀土掺杂氧化物薄膜、玻璃材料和有机聚合物材料上。着重从宽带的获得、发光性能的改善和发光机理的探索3个方面介绍了稀土掺杂玻璃和薄膜材料的研究进展。结合已经取得的结果和积累的经验,探讨了提高发光效率的方法,指出纳米结构设计的共掺材料体系可以获得有效的宽带发光。最后展望了本领域的发展前景。  相似文献
9.
信息技术的快速发展,对各行各业都产生了巨大冲击,大学的人才培养也不例外,这已引起了广泛关注.目前信息技术对大学人才培养的影响主要还是在技术层面,即"互联网+教育"、"互联网+教学"的改革,而信息技术发展背后蕴含的量子物理学原理或量子思维对大学人才培养的影响还未引起足够重视.本文正是从这个角度出发,分析了信息技术发展的物理学特征,指出了新形势下大学的人才培养需要注意的关键点,最后重点探讨了在大学普及量子物理学知识、提升量子思维素养的必要性,并给出了具体示范案例.  相似文献
10.
介绍了费恩曼对计算机科学的思考、费恩曼量子计算机理论以及北航在量子信息领域的研究.费恩曼曾做过一系列关于量子计算机科学的演讲,提出通过量子机制可在原子尺度上实现通用计算机,开创了量子计算机和纳米科技等领域.  相似文献
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