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1.
光电子衍射与表面结构分析   总被引:4,自引:1,他引:3  
光电子衍射是近年来发展成熟的研究外延表面和吸附表面的原子位型、结构、化学键、磁性等物理化学性质的表达分析方法。本概述了其基本原理以及在理论、实践两方面的最新进展,并且具体阐述了在不同的实验条件下光电子衍射基本的数据处理方法,并结合一些近几年发展起来的技术如光电子全息、自旋分辨的光电子衍射(SPPD)、磁二向色性角分布(MDAD)等讨论了光电子衍射在各种低维体系中的应用。  相似文献
2.
GaN(0001)表面的电子结构研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散  相似文献
3.
利用x射线光电子衍射的极角扫描模式,采集了GaN(0001)表面由(1010)和(1120)晶面产生的光电子衍射实验曲线,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0001)表面是Ga在最外层的极性面.利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0001)表面的极化性质进行了研究,进一步证实了GaN表面是Ga在最外层的极性面.  相似文献
4.
氩气氛常压下,利用热蒸发法,在无催化剂、无ZnO预沉积层的硅衬底上制备了取向良好,排列整齐的ZnO纳米棒阵列.在距Zn源不同位置的Si衬底上得到了不同形貌的样品.硅衬底置于锌源正上方是得到取向一致的ZnO纳米阵列的一个关键性条件.用场发射扫描电子显微镜、X射线粉末衍射表征样品表面形貌、晶体结构.进一步研究了样品的生长机制和荧光性质.  相似文献
5.
光电子衍射是近年来发展成熟的研究外延表面和吸附表面的原子位型、结构、化学键、磁性等物理化学性质的表面分析方法。本文概述了其基本原理以及在理论、实践两方面的最新进展。并且具体阐述了在不同的实验条件下光电子衍射基本的数据处理方法 ,并结合一些近几年发展起来的技术如光电子全息、自旋分辨的光电子衍射 (SPPD)、磁二向色性角分布 (MDAD)等讨论了光电子衍射在各种低维体系中的应用  相似文献
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