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1.
Li-Sn合金负极材料的嵌脱锂机理研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算了Li-Sn各种合金相的物理性质和电化学性质,计算发现Li5Sn2相对膨胀率小、对可逆容量贡献大,是理想的合金电极相.同时采用直流和射频磁控溅射方法制备了纳米Sn薄膜电极,并将测得的电化学特性与计算得到的性能进行了比较,发现理论计算的嵌锂电位与实验测得的嵌锂电位具有较好的一致性.  相似文献
2.
汝强  胡社军  赵灵智 《物理学报》2011,60(3):36301-036301
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究方法,计算了不同嵌锂态LixFePO4(x=0,0.75,1.0)的电子结构. 对于橄榄石型LixFePO4正极材料,虽然Fe3d电子在费米能级附近相互交错,但由于受晶体场作用的限制,并不能真正成为自由电子,Fe3d电子对体系的导电性没有很大贡献,而Fe—O键在低能成键区形成p-d杂化的局域态共价键对稳定合金骨架具有重要作用. 随着锂离子的脱  相似文献
3.
The mechanism of lithium intercalation/deintercalation for phase Al 0.8 Ni 3 Sn 0.2 as anode material used in lithium ion battery was studied carefully based on the first-principle plane wave pseudo-potential method.The calculated results indicated that Sn-Ni-Al alloy had high theoretical capacity when used as anode material,however,there was high initial irreversible capacity loss because of the large volume expansion.Therefore the technological parameters during preparing the Sn-Ni-Al anode should be controlled strictly to make the content of Al 0.8 Ni 3 Sn 0.2 phase as low as possible and to make the anode consist of promising Sn-Ni and Al-Ni phases.For comparison,an experiment based on magnetron sputtering was done.The result showed that the calculation is in good agreement with the experiment.We found that the first-principle investigation method is of far-reaching significance in synthesising new commercial anode materials with high capacity and good cycle performance.  相似文献
4.
5.
利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices (APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性.与InGaN/GaN基LED中GaN作为垒层材料相比,在AlInGaN材料体系中,通过调节AlInGaN中Al和In的组分可以优化器件的性能.当InGaN阱层材料中In组分为8%时,可以实现无应力的Ino.08 Ga0.92 N/AlInGaN基LED.在这种无应力结构中可以进一步降低大功率LED的“效率下降”(Effciency droop)问题.理论模拟结果显示,四元系AlInGaN作为垒层可以进一步减少载流子泄露,增加空穴注入效率,减少极化场对器件性能的影响.在Ino.08 Ga0.92 N/AlInGaN量子阱中的载流子浓度、有源层的辐射复合率、电流特性曲线和内量子效率等方面都优于InGaN/GaN基LED.无应变AlInGaN垒层代替传统的GaN垒层后,能够得到高效的发光二极管,并且大电流注入下的“效率滚降”问题得到改善.  相似文献
6.
郑树文  范广涵  何苗  赵灵智 《物理学报》2014,63(5):57102-057102
采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究. 计算了β-Ga2(1-xW2xO3x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构. 结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2xO3材料的体积增大,总能量升高,稳定性降低. 当W的掺杂量较小时,其电子迁移率较大,导电性能也很强. 当增加W的掺杂量,Ga2(1-xW2xO3材料的平均电子有效质量就略有增大,能隙变得越窄,这与实验的变化趋势相一致. 关键词: β-Ga2O3')" href="#">β-Ga2O3 电导率 W掺杂 密度泛函理论  相似文献
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