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1.
磁性隧道结自旋极化电子的隧穿特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
铁磁金属间通过中间层的自旋极化电子隧穿产生的磁性耦合,在自旋电子器件中有许多潜在的应用.考虑由一平面磁性势垒层隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,针对中间层形成的矩形势垒,在近自由电子模型的基础上,计算零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,分析势垒层特性、分子场强弱、分子场相对取向等对隧道结自旋极化电子隧穿特性的影响.计算结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.  相似文献
2.
以聚合物基片柔性ITO膜为透明电极,制备了ITO/TPD/Alq3/Al结构柔性有机发光器件,并与在相同条件下制备的玻璃基片相同结构器件作了比较。研究了不同基片对有机材料及器件性能的影响,指出选择不易吸湿、耐温高、热胀系数小的聚合物材料,提高柔性ITO膜的附着力和导电性,结合柔性ITO膜的具体特性。优化有机层的蒸镀条件,是提高柔性有机发光器件发光亮度和稳定性的重要途径。  相似文献
3.
提出了描述聚对苯乙炔(PPV)晶格及电子结构的物理模型,并在该模型的基础上给出了PPV的基态及可能的极化子、双极化子激发态,并对影响激发态稳定性的因素进行了研究.  相似文献
4.
研究了有机磁性聚合物ploy-BIPO链的封闭和非封闭结构对体系自旋密度(SDW)的影响.在开链情况下,自旋耦合与电子-电子相互作用对主链SDW的形成存在竞争,自旋耦合有利于SDW的形成;而电子-电子相互作用对SDW起到抑制作用.闭环下,没有得到这些结论.  相似文献
5.
We investigated the effect of spin-orbit coupling on magnetoresistance in nonmagnetic organic semiconductors.A Lorentz-type magnetoresistance is obtained from spin-orbit coupling-dependent spin precession under the condition of a space-charge-limited current.The magnetoresistance depends on the initial spin orientation of the electron with respect to the hole in electron-hole pairs,and the increasing spin-orbit coupling slows down the change in magnetoresistance with magnetic field.The field dependence,the sign and the saturation value of the magnetoresistance are composite effects of recombination and dissociation rate constants of singlet and triplet electron-hole pairs.The simulated magnetoresistance shows good consistency with the experimental results.  相似文献
6.
构造求解一阶微分方程组初值问题的八阶龙格-库塔递推公式,结合描述有机分子运动的一维紧束缚模型,研究PPV原子链中极化子的形成及运动.对碳原子数N=160的PPV原子链,由可控步长八阶龙格-库塔公式求解2N(2N+1)=102 720个方程组成的方程组,用Fortran语言编程计算,得到稳定的极化子结构和运动图像;在场强E=1×105 V.cm-1的电场作用下,极化子沿分子链的运动速率约为0.263 5.fs-1.计算结果表明,八阶龙格-库塔方程可以有效地用于有机分子链中载流子运动的模拟.  相似文献
7.
由于有机半导体(OSC)材料自旋弛豫时间长、自旋扩散长度大,OSC自旋器件逐渐成为研究热点.对于有机电致发光器件(OLED),通过自旋极化电极调控单线态和三线态激子比率是提高其效率的有效方法.本文从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合朗之万定律建立了一个自旋注入、输运、复合的理论模型.计算了OSC中的极化电子、空穴浓度,得出了单线态和三线态激子的比率.分析了电场强度、自旋相关界面电导、电极和OSC电导率匹配和电极极化率等因素的影响.计算结果表明:两电极注入反向极化的载流子并提高载流子自旋极化率,有  相似文献
8.
采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,InxZn1-xO的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多,这导致了带隙的变窄.此外,In掺杂使晶胞晶格常数增大,这对带隙的变窄也有一定作用.  相似文献
9.
Charge carriers in organic semiconductor are different from that of traditional inorganic semiconductor. Based on three-current model, considering electrical field effect, we present a theoretical model to discuss spin-polarized injection from ferromagnetic electrode into organic semiconductor by analyzing electrochemical potential both in ferromagnetic electrode and organic semiconductors. The calculated result of this model shows effects of electrode's spin polarization, equilibrium value of polarons ratio, interracial conductance, bulk conductivity of materials and electrical field. It is found that we could get decent spin polarization with common ferromagnetic electrode by increasing equilibrium value of polarons ratio. We also find that large and matched bulk conductivity of organic semiconductor and electrode, small spin-dependent interracial conductance, and enough large electrical field are critical factors for increasing spin polarization.  相似文献
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