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1.
A focused gallium ion (Ga+) beam is used to fabricate micro/submicron spacing gratings on the surface of porous NiTi shape memory alloy (SMA ). The crossing type of gratings with double-frequency (25001/mm and 50001/mm) using the focused ion beam (FIB) milling are successfully produced in a combination mode or superposition mode. Based on the double-frequency gratings, high-quality scanning electron microscopy (SEM) Moird patterns are obtained to study the micro-scale deformation of porous NiTi SMA. The grating fabrication technique is discussed in detail. The experimental results verify the feasibility of fabricating high frequency grating on metal surface using FIB milling.  相似文献
2.
By repeatedly pre-cleaning the sputtering chamber with Ar gas and in-situ isochronal annealing samples, NiSi films are successfully prepared on Si (100) substrates in a radio-frequency magnetron sputtering system. A comparison between the obtained NiSi and excess oxygen-contaminated Ni/Si films has been performed by EDX analysis of oxygen atomic content in both the films. Focused ion beam milling technology is employed to make the cross-sections of the samples for characterizing the NiSi film thickness and NiSi/Si interface roughness. The influences of nickel film thickness on the NiSi-film morphology and on the NiSi/Si interface roughness are studied.  相似文献
3.
本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下,计算了团簇(HgTe)n(n=1—8)的基态几何结构、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、结合能等,比较了团簇(HgTe)n和(CdSe)。基态结构,能隙与结合能随尺寸变化关系的差异等.  相似文献
4.
吴焰立  刘川  罗强 《中国物理快报》2003,20(9):1586-1588
Monte Carlo simulations are used to study the three-dimensional Holstein model. The relationship between the band filling and the chemical potential is obtained for various phonon frequencies and temperatures. The energy of a single electron or a hole is also calculated as a function of the lattice momenta.  相似文献
5.
罗强  刘川 《中国物理快报》2002,19(8):1184-1186
The electron-phonon Holstein model is studied in three spatial dimensions.It is argued that this model can be used to account for major features of the high-Tc BaPb1-xBixO3 and BaxK1-xBiO3 systems.Mean-field calculations are performed via a path integral representation of the model.Charge-density-wave order parameters and transition temperatures are obtained.  相似文献
6.
本采用分子动力学模拟方法,研究了银、钴和铂原子纳米团簇的熔化过程,模型采用的是Johson的EAM作用势。模拟结果表明,较大原子数目的纳米团簇其熔点随尺寸单调增加,而较小原子数目的团簇熔点和尺寸呈现无规则变化;大多数团簇在熔点附近都出现了负热容现象,说明负热容是纳米团簇在熔化过程中的一个普遍现象。  相似文献
7.
本文从理论上研究了重费米子系统 CeAl_3和 CeCu_2Si_2的温差电势率和比热。结果表明在 TTK 时,系统可用单杂质的 Kondo 理论描述.  相似文献
8.
9.
罗强  唐斌  张智  冉曾令 《物理学报》2013,62(7):77101-077101
基于密度泛函理论第一性原理, 在广义梯度近似下, 研究了表面覆盖度为0.25 ML (monolayer)时硫化氢分子在Fe(100)面吸附的结构和电子性质, 并与单个硫原子吸附结果进行了对比. 结果表明: 硫化氢分子吸附在B2位吸附能最小为-1.23 eV, 最稳定, B1位吸附能最大为-0.01 eV, 最不稳定; 并对硫化氢分子在B1位和B2位吸附后的电子态密度进行了分析, 也表明了吸附在B2位稳定, 且吸附在B2位后硫化氢分子几何结构变化不大; 将硫化氢中硫原子吸附与单个硫原子吸附的电子性质进行了比较, 发现前者吸附作用非常微弱; 同时对吸附后的Fe(100)面进行了对比, 单个硫原子吸附的Fe(100)面电子态密度出现了一系列峰值且离散分布, 生成了硫化亚铁, 表明在硫化氢环境下, 主要是硫化氢析出的硫原子发生了吸附.  相似文献
10.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,计算了Ⅳ族元素晶体的面心立方结构和电子性质.结果表明:Ⅳ族元素晶体的面心立方结构均可存在,面心立方结构Ge晶体的结合能最大,结构最稳定;面心立方结构C、Si、Ge和Sn的晶格常数分别为3.509Å 、4.322Å、4.225Å、4.903 Å,不随原子序数的增加而单调增加,是由面心立方锗晶体比面心立方硅晶体中电子云交叠小,产生的排斥较弱所导致的;面心立方结构C晶体是间接能隙为6.5eV的宽禁带半导体,面心立方结构Si晶体的导带和价带存在较小的交叠而呈现出半金属性,面心立方结构Ge和Sn的电子结构相似均表现为金属性,Ⅳ族元素面心立方结构晶体的电学性质由宽禁带半导体向金属转变.  相似文献
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